[发明专利]一种高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质及其制备方法在审
| 申请号： | 201710486331.4 | 申请日： | 2017-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN107188562A | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 牛继恩;陈映义;赖伟生;陈甲天;曹文强 | 申请（专利权）人： | 汕头市瑞升电子有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/626 |
| 代理公司： | 汕头市潮睿专利事务有限公司44230 | 代理人： | 林天普,俞诗永 |
| 地址： | 515000 广东省汕头市金*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 介电常数 损耗 温度 稳定 陶瓷 电容器 介质 及其 制备 方法 | ||
1.一种高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质，其特征在于由下述重量配比的原料制成：BaTiO3 55-90%，SrTiO3 2-25%，Bi2ZrO5 2-15%，MnNb2O6 0.5-6%，CaNb2O6 0.1-8.5%，Bi2O3 0.1-0.8%，MnO2 0.03-1.0%。
2.根据权利要求1所述的高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质，其特征在于所述高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质由下述重量配比的原料制成： BaTiO360-86%，SrTiO3 3-22%，Bi2ZrO5 3-12%，MnNb2O6 0.5-6%，CaNb2O6 0.2-6.7%，Bi2O3 0.1-0.8%，MnO2 0.03-1.0%。
3.根据权利要求1所述的高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质，其特征在于所述高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质由下述重量配比的原料制成： BaTiO365-83%，SrTiO3 3-19%，Bi2ZrO5 4-10%，MnNb2O6 1-6%，CaNb2O6 0.2-5.2%，Bi2O3 0.1-0.8%，MnO2 0.03-1.0%。
4.根据权利要求1所述的高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质，其特征在于所述高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质由下述重量配比的原料制成： BaTiO370-81%，SrTiO3 4-17%，Bi2ZrO5 3-8%，MnNb2O6 1-5%，CaNb2O6 0.2-4.7%，Bi2O3 0.1-0.8%，MnO2 0.03-1.0%。
5.根据权利要求1-4任一项所述的高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质，其特征在于所述SrTiO3采用如下工艺制备：按1:1的摩尔比配备SrCO3和TiO2，然后对SrCO3和TiO2进行研磨并混合均匀，再将SrCO3和TiO2的混合物料放入氧化铝坩埚内，于1260℃下保温120分钟，得到SrTiO3。
6.根据权利要求1-4任一项所述的高介电常数低损耗高温度稳定陶瓷电容器介质，其特征在于所述Bi2ZrO5采用如下工艺制备：按1:1的摩尔比配备Bi2O3和ZrO2，然后对Bi2O3和ZrO2进行研磨并混合均匀，再将Bi2O3和ZrO2的混合物料放入氧化铝坩埚内，于1100-1150℃下保温120分钟，得到Bi2ZrO5。
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