[发明专利]深黑色金属薄膜及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在于，在真空条件及温度范围为50℃～300℃的条件下，使用铬靶、钛靶或钨靶的靶材进行磁控溅射，具体包括以下步骤：

使用所述靶材轰击处理基材；

沉积金属打底层：使用所述靶材在所述基材上进行磁控溅射沉积；

沉积金属碳化物过渡层：通入乙炔和/或甲烷及氩气，使用所述靶材在所述金属打底层上进行磁控溅射沉积，其中，乙炔和/或甲烷的流量采用渐增方式增加，乙炔和/或甲烷的流量：100sccm～1000sccm，氩气的流量：100sccm～1500sccm，真空室压强：0.1Pa～1.5Pa，靶材电流：10A～40A，时间：30min～90min，偏压：-50V～-400V；

沉积金属碳氧化合物颜色层：通入氧气、乙炔和/或甲烷及氩气，使用所述靶材在所述金属碳化物过渡层进行磁控溅射沉积，其中，氧气的流量：10sccm～200sccm，乙炔和/或甲烷的流量：100sccm～1000sccm，氩气的流量：100sccm～1500sccm，真空室压强：0.1Pa～1.5Pa，靶材电流：10A～40A，时间：1min～15min，偏压：-30V～-200V。

2.根据权利要求1所述的深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在在于，所述使用铬靶、钛靶或钨靶的靶材进行磁控溅射前还包括清洗处理基材的步骤。

3.根据权利要求1所述的深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在在于，所述使用靶材轰击处理基材时需通入氩气，其工艺条件如下：氩气的流量：100sccm～1500sccm，真空室压强：0.1Pa-1.5Pa，靶材电流：30A～100A，时间：2min～15min，偏压：-300V～-1000V。

4.根据权利要求1所述的深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在在于，所述沉积金属打底层时需通入氩气，其工艺条件如下：氩气的流量：100sccm～1500sccm，真空室压强：0.1Pa～1.5Pa，靶材电流：10A～40A，时间：10min～30min，偏压：-50V～-400V。

5.根据权利要求1-4任一项所述的深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在在于，所述真空条件的压力范围为2*10^-3Pa～2*10^-2Pa。

6.根据权利要求1-4任一项所述的深黑色金属薄膜的制备方法，其特征在在于，所述基材为钢、钛、钛合金、铬、铬合金、钨、钨合金或塑料。

7.一种深黑色金属薄膜，其特征在于，由权利要求1-6任一项所述的深黑色金属薄膜的制备方法制备而成，所述深黑色金属薄膜包括基材、设在所述基材之上的金属打底层、设在所述金属打底层之上的金属碳化物过渡层及设在所述金属碳化物过渡层之上的金属碳氧化合物颜色层。

8.根据权利要求7所述的深黑色金属薄膜，其特征在于，所述深黑色金属薄膜的厚度是0.5μm～4.5μm。

9.根据权利要求7所述的深黑色金属薄膜，其特征在于，所述深黑色金属薄膜的颜色范围为：L值为25～28，a值为-0.5～0.5，b值为-1～1。

10.一种深黑色金属薄膜的应用，其特征在于，使用如权利要求7-9任一项所述的深黑色金属薄膜镀于电子设备或饰品。