[发明专利]一种混频器矢量特性测量方法

权利要求书

1.一种混频器矢量特性测量方法，其特征在于，在中频接收端口增加一个衰减器，该衰减器与被测混频器的中频输出端口直接连接，包括以下测量步骤：

测量步骤1：端口1的源参考信号直接输入到端口1的参考通道，混频器的射频端口匹配S_11RF通过误差修正公式(6)确定：

等式(6)中，E_D1RF为源端口1在混频器射频输入频率处的方向性误差，E_R1RF为源端口1的反射跟踪误差，E_s1RF为源端口1的源匹配误差，S_11RFM为直接测量未经误差修正的被测件混频器的射频端口匹配，定义如下：

等式(7)中，a_1mRF为参考激励信号，b_1mRF为被测混频器射频端口输出信号的测量值；

测量步骤2：端口1输出的源参考信号与参考混频器混频产生的中频信号输入到端口1的参考通道，去除误差项影响的混频器的矢量传输变频损耗C₂₁通过误差修正公式(8)确定：

等式(8)中，E_s1RF为源端口1的源匹配误差，E_T为传输跟踪误差，C_21M为直接测量未经误差修正的被测件混频器的前向矢量变频损耗，定义如下：

等式(9)中，a_1mRF为参考激励信号，b_2mIF为被测混频器中频端口输出信号的测量值；

通过以上步骤完成混频器射频端口匹配S_11RF和矢量传输变频损耗C₂₁的测量。

2.如权利要求1所述的一种混频器矢量特性测量方法，其特征在于，

在进行测量步骤前，首先进行误差校准，确定误差模型中的各误差项，校准过程包括以下步骤：

校准步骤1，在矢量网络分析仪的端口1进行混频器射频输入对应频率上的单端口校准，端口1的参考混频器旁路开关设置为内部路径状态，端口1的源参考信号直接输入到内部端口1的参考接收通道；进行同频S参数测量，校准时分别在端口1连接3个不同的反射标准，设3个反射标准在射频频率上的已知值分别为Γ₁、Γ₂和Γ₃，对应的测量值分别为M₁、M₂和M₃，确定误差模型中的如下3项误差：

校准步骤2，进行传输校准，矢量网络分析仪的参考混频器开关设置到前面板输出状态，端口1输出的参考信号与参考混频器混频产生的中频信号输入到端口1的参考接收通道，在矢量网络分析仪的端口1和端口2连接特性已知的校准混频器，误差模型中的误差项E_T通过如下等式确定：

等式(4)中，M_RF和T_F为校准混频器的已知特性定标值，T_FM为校准混频器直接测量所得的前向变频损耗，定义如下：

等式(5)中，a_1mRF为参考激励信号，b_2mIF为校准混频器中频端口输出信号的测量值。

3.如权利要求2所述的一种混频器矢量特性测量方法，其特征在于，完成所述误差校准后，还包括进行源和本振的功率校准。

4.如权利要求1所述的一种混频器矢量特性测量方法，其特征在于，

增加的衰减器端口回波损耗优于35dB，衰减值为20dB。