[发明专利]一种半导体器件及制造方法在审
| 申请号： | 201710470897.8 | 申请日： | 2017-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN107170837A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;张伟;李一枝 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心11010 | 代理人： | 焉明涛 |
| 地址： | 518054 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，其特征在于，所述器件包括具有P型埋层的N型漂移区和沟槽结构；所述沟槽结构设置在所述N型漂移区的端部；所述P型埋层位于任意相邻两个沟槽之间。
2.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述器件还包括栅氧化层；所述沟槽结构与所述N型漂移区之间由所述栅氧化层隔离。
3.如权利要求2所述的器件，其特征在于，所述器件还包括金属电极；所述金属电极设置在所述沟槽结构和所述所述N型漂移区的端部；所述金属电极6与所述N型漂移区形成肖特基接触。
4.如权利要求1所述的器件，其特征在于，所述P型埋层的掺入杂质为硼。
5.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述P型埋层中硼注入剂量由所述N型漂移区的电阻率确定。
6.如权利要求4所述的器件，其特征在于，所述P型埋层中硼注入剂量在1E12-1E15cm-2之间。
7.如权利要求1所述的器件，其特征在于，任意相邻两个沟槽间的中心线穿过所对应的P型埋层。
8.如权利要求1-7中任意一项所述的器件，其特征在于，所述器件还包括N型晶向衬底；所述N型漂移区生长在所述N型晶向衬底；所述N型晶向衬底的掺杂浓度大于所述N型漂移区的掺杂浓度。
9.如权利要求1所述半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：
按照预设的第一外延工艺，在选取的N型晶向衬底生长N型漂移区；
在所述N型漂移区进行P型埋层注入；
按照预设的第二外延工艺，基于预设顺序淀积氧化层、刻蚀沟槽栅结构、生长栅氧化层、多晶硅淀积和反刻，从而形成所述半导体器件。
10.如权利要求9所述方法，其特征在于，所述P型埋层掺入的杂质为硼；所述硼注入剂量在1E12-1E15cm-2之间，离子注入能量在30KEV-80KEV之间。
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