[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供一种晶片的加工方法，对具有功能膜的晶片进行良好地分割。对具有多条分割预定线的晶片(W1)沿着分割预定线进行分割的晶片的加工方法，其中，该晶片的加工方法构成为具有如下的步骤：利用切削刀具从晶片的正面(71)侧切入到晶片的厚度方向中途而沿着分割预定线形成多个切削槽(76)的步骤；以及从晶片的正面侧朝向切削槽内照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线从而将晶片与晶片的背面(72)的功能膜(74)一同沿着切削槽分割成多个器件的步骤。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，将晶片分割成各个器件。

背景技术

在半导体器件制造工序的晶片的分割中，实用化了如下方法：沿着晶片的分割预定线照射具有吸收性的波长的脉冲激光光线，将晶片沿着分割预定线完全分割(例如，参照专利文献1)。关于专利文献1所记载的加工方法，通过脉冲激光光线的照射来使晶片局部地升华，从而沿着分割预定线形成将晶片完全分割的槽(完全分割槽)。在该情况下，借助粘贴于环状框架的粘合带的粘接剂对晶片进行粘贴，以使晶片虽被分割成各个器件也不会散乱。

专利文献1：日本特开2012-124199号公报

但是，在晶片中存在在正、背两个面中的至少一个面上形成有功能膜的情况。因此，在上述的基于激光光线的照射的分割方法和使用了切削刀具的分割方法中，根据晶片的种类而存在因功能膜所引起的碎屑的附着或崩边/裂纹等造成晶片分割后的器件的加工品质降低的问题。

发明内容

本发明是鉴于该点而完成的，其目的之一在于，提供晶片的加工方法，能够对具有功能膜的晶片良好地进行分割。

本发明的一个方式的晶片的加工方法将由多条分割预定线划分而形成有多个器件的晶片沿着该分割预定线进行分割，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的步骤：切削槽形成步骤，将具有功能膜的一个面已借助保护带被粘贴于环状框架的晶片载置在切削装置的保持工作台上，将切削刀具从晶片的另一个面侧切入到晶片厚度方向中途，沿着该分割预定线形成多个切削槽；以及分割步骤，在实施了该切削槽形成步骤之后，将形成有该切削槽的晶片载置在激光加工装置的保持工作台上，从晶片的另一个面侧朝向切削槽内沿着该切削槽照射对于晶片具有吸收性的波长的激光光线从而将晶片与该功能膜一同分割成多个器件。

根据该结构，利用切削刀具对晶片的另一个面进行切削加工，从晶片的另一个面侧向切削槽内照射激光光线而对晶片的一个面的功能膜进行激光加工。通过在晶片的一个面和另一个面上变更加工方法，能够对具有功能膜的各种各样的晶片进行良好地分割。

并且，在本发明的一个方式的晶片的加工方法中，具有如下的切削槽深度检测步骤：在实施了该切削槽形成步骤之后并且在实施该分割步骤之前或实施中，对形成于晶片的该切削槽的深度进行检测，该激光加工装置的控制单元具有存储部，在该存储部中预先存储有与切削槽的深度对应的最佳的激光加工条件表，在该分割步骤中，按照在该切削槽深度检测步骤中检测出的切削槽的深度，根据该存储部的激光加工条件表来变更激光光线的加工条件而对晶片进行分割。

根据本发明，通过在晶片的一个面和另一个面上变更加工方法，能够对至少具有功能膜的各种各样的晶片进行良好地分割。

附图说明

图1是激光加工装置的立体图。

图2是示出比较例的激光加工的一例的图。

图3的(A)和(B)是示出第1实施方式的切削槽形成步骤的一例的图。

图4是示出第1实施方式的切削槽深度检测步骤的一例的图。

图5的(A)和(B)是示出第1实施方式的分割步骤的一例的图。

图6是示出第2实施方式的切削槽形成步骤的一例的图。

图7是示出第2实施方式的切削槽深度检测步骤的一例的图。