[发明专利]触摸屏自电容异物检测有效
申请号: | 201710455898.5 | 申请日: | 2017-06-16 |
公开(公告)号: | CN108121470B | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | A·普特拉;K·A·尼格拉特 | 申请(专利权)人: | 意法半导体亚太私人有限公司 |
主分类号: | G06F3/041 | 分类号: | G06F3/041;G06F3/044;G06F3/0354 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 触摸屏 电容 异物 检测 | ||
公开了一种用于针对电容式触摸屏进行触摸屏自电容异物检测的方法。通过迭代地执行自电容扫描和异物扫描的方法,可以检测异物。
技术领域
本公开总体上涉及电容式触摸屏面板,并且更具体地,涉及一种用于电容式触摸屏面板中的进行异物检测的系统和方法。
技术背景
触摸屏面板通常结合在各种电子设备中以用于检测用户输入(即,用户触摸或悬停)并且显示内容。触摸屏面板包括能够检测用户输入并显示内容的活动部分。该活动部分通常由显示面板形成,在显示面板顶部上,设置有包括布置成一定图案的多层电容式感测电路系统的电容式感测面板。
在用于电子设备(诸如,智能电话、GPS设备、平板计算机、移动媒体播放器、远程控制设备或能够使用触摸屏面板的任何其他设备)的触摸屏面板中设置有电容式感测面板。感测面板包括布置成一定构型的图案化导电特征阵列。例如,该图案化导电特征阵列可包括线路、导电焊盘、重叠结构、交织结构、金刚石结构、栅格结构等的集合。导电特征可在各个点处形成电容式节点。电容感测面板评估每个电容式节点处的电容改变,以检测诸如通过手指或其他身体部分以及通过工具(诸如,触笔)进行的用户触摸或悬停。
发明内容
公开了一种自电容异物检测方法。该方法包括执行自电容扫描,所述自电容扫描包括:顺序地激励节点阵列的多列节点并且测量至少一个节点的自电容改变,以生成触摸检测数据。该方法还包括执行异物扫描,所述异物扫描包括:顺序地激励该节点阵列的单列节点并且测量该单列节点的至少一个节点的自电容改变,以生成异物检测数据。最后,该方法包括对节点状态进行分类,所述对节点状态进行分类包括:响应于该触摸检测数据和该异物检测数据而向每个节点分派节点状态,以便检测异物的存在。
公开了一种异物扫描。该异物扫描可包括:对第一列节点进行寻址;在第一时间,只激励该第一列节点;在该第一时间,将与该第一列节点相邻的每列节点接地;以及在自电容模式下,只监测该第一列节点中的至少一个节点上的自电容改变,以便检测异物的存在。
公开了一种自电容异物检测方法。该方法可包括:由节点激励引擎用激励脉冲来激励节点阵列的与索引相对应的第一节点;在进行该激励的同时,进一步由该节点激励引擎来激励与该第一节点相邻的第二节点;以及由触摸检测引擎来监测该第一节点上的自电容改变。该方法可包括:将该索引递增,以对该第二节点进行寻址;由该节点激励引擎用该激励脉冲来激励与该索引相对应的该第二节点;在进行该激励的同时,进一步由该节点激励引擎来激励与该第二节点相邻的第三节点;由该触摸检测引擎来监测该第二节点上的自电容改变。该方法可包括:将该索引递增,以对该第三节点进行寻址;由该节点激励引擎用该激励脉冲来激励与该索引相对应的该第三节点;在进行该激励的同时,进一步由该节点激励引擎来激励该第一节点和该第二节点;由该触摸检测引擎来监测该第三节点上的自电容改变。该方法还可包括:由扫描控制器来确定已经激励了该节点阵列的每个节点;由数据存储与检索引擎来存储与该第一节点上的该自电容改变、该第二节点上的该自电容改变和该第三节点上的该自电容改变相对应的触摸检测数据;以及将该索引重置成对应于该节点阵列的该第一节点。该方法可继续进行,包括:由该节点激励引擎用该激励脉冲来激励该节点阵列的与该索引相对应的该第一节点;在进行该激励的同时,由该节点激励引擎来隔离与该第一节点相邻的该第二节点;由该触摸检测引擎来监测该第一节点上的进一步的自电容改变;将该索引递增,以对该第二节点进行寻址。该方法可包括:由该节点激励引擎用该激励脉冲来激励与该索引相对应的该第二节点;在进行该激励的同时,由该节点激励引擎来隔离与该第二节点相邻的该第三节点;由该触摸检测引擎来监测该第二节点上的进一步的自电容改变;将该索引递增,以对该第三节点进行寻址。该方法可包括:由该节点激励引擎用该激励脉冲来激励与该索引相对应的该第三节点;在进行该激励的同时,由该节点激励引擎来隔离该第一节点与该第二节点;以及由该触摸检测引擎来监测该第三节点上的进一步的自电容改变。该方法可包括:由该扫描控制器来确定已经激励了该节点阵列的每个节点;由该数据存储与检索引擎来存储与该第一节点上的该进一步的自电容改变、该第二节点上的该进一步的自电容改变和该第三节点上的该进一步的自电容改变相对应的异物检测数据。
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