[发明专利]具有大增益范围、高精度的双控制电压dB线性VGA电路在审
申请号: | 201710452308.3 | 申请日: | 2017-06-15 |
公开(公告)号: | CN107222179A | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 王永生;李心智;付方发;来逢昌 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | H03G3/30 | 分类号: | H03G3/30 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所23109 | 代理人: | 毕雅凤 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 增益 范围 高精度 控制 电压 db 线性 vga 电路 | ||
1.具有大增益范围、高精度的双控制电压dB线性VGA电路,其特征在于,包括预放大器(1)、大范围增益控制级(2)、高精度增益控制级(3)和固定增益放大器(4);
预放大器(1)的输出端与大范围增益控制级(2)的信号输入端连接,大范围增益控制级(2)的输出端与高精度增益控制级(3)的信号输入端连接,高精度增益控制级(3)的输出端与固定增益放大器(3)的输入端连接,第一控制电压Vctrl1由大范围增益控制级(2)的控制电压输入端输入,第二控制电压Vctrl2由高精度增益控制级(3)的控制电压输入端输入。
2.根据权利要求1所述的具有大增益范围、高精度的双控制电压dB线性VGA电路,其特征在于,所述大范围增益控制级(2)的增益衰减步长范围为10dB-20dB,高精度增益控制级(3)的增益衰减步长范围为1dB-5dB。
3.根据权利要求1所述的具有大增益范围、高精度的双控制电压dB线性VGA电路,其特征在于,所述大范围增益控制级(2)包括第一重叠高斯电流产生电路(2-1)、N个第一gm级(2-2)、第一衰减网络(2-3)、第一I-V转换器(2-4)、电阻Rf1和电阻Rf2;
第一控制电压Vctrl1由第一重叠高斯电流产生电路(2-1)的输入端输入,第一重叠高斯电流产生电路(2-1)的N个输出端分别与N个第一gm级(2-2)的尾电流端连接,第一衰减网络(2-3)的N个输出端分别与N个第一gm级(2-2)的同相输入端连接,N个第一gm级(2-2)的反相输入端连接并与电阻Rf1的一端和电阻Rf2的一端连接,电阻Rf2的另一端接地,电阻Rf1的另一端与第一I-V转换器(2-4)的输出端连接,并作为大范围增益控制级(2)的输出端,N个第一gm级(2-2)的同相输出端连接并与第一I-V转换器(2-4)的同相输入端连接,N个第一gm级(2-2)的反相输出端连接并与第一I-V转换器(2-4)的反相输入端连接。
4.根据权利要求3所述的具有大增益范围、高精度的双控制电压dB线性VGA电路,其特征在于,所述第一衰减网络(2-3)由R-2R梯形电阻阵列实现,大范围增益控制级(2)的增益衰减步长为12dB。
5.根据权利要求1所述的具有大增益范围、高精度的双控制电压dB线性VGA电路,其特征在于,所述高精度增益控制级(3)包括第二重叠高斯电流产生电路(3-1)、M个第二gm级(3-2)、第二衰减网络(3-3)、第二I-V转换器(3-4)、电阻Rf3和电阻Rf4;
第二控制电压Vctrl2由第二重叠高斯电流产生电路(3-1)的输入端输入,第二重叠高斯电流产生电路(3-1)的M个输出端分别与M个第二gm级(3-2)的尾电流端连接,第二衰减网络(3-3)的M个输出端分别与M个第二gm级(3-2)的同相输入端连接,M个第二gm级(3-2)的反相输入端连接并与电阻Rf3的一端和电阻Rf4的一端连接,电阻Rf4的另一端接地,电阻Rf3的另一端与第二I-V转换器(3-4)的输出端连接,并作为高精度增益控制级(3)的输出端,M个第二gm级(3-2)的同相输出端连接并与第二I-V转换器(3-4)的同相输入端连接,M个第二gm级(3-2)的反相输出端连接并与第二I-V转换器(3-4)的反相输入端连接。
6.根据权利要求5所述的具有大增益范围、高精度的双控制电压dB线性VGA电路,其特征在于,所述第二衰减网络(3-3)由R-4R-20R的电阻网络实现,高精度增益控制级(3)的增益衰减步长为2dB;
R-4R-20R的电阻网络包括M-1个阻值为R的电阻、1个阻值为4R的电阻和M-2个阻值为20R的电阻;
M-1个阻值为R的电阻串联,形成M个端点,第1端点同时作为高精度增益控制级(3)的信号输入端和第二衰减网络(3-3)的1个输出端,第2至第M-1端点分别与M-2个阻值为20R的电阻的一端连接,并作为第二衰减网络(3-3)的M-2个输出端,第M端点与阻值为4R的电阻的一端连接,并作为第二衰减网络(3-3)的1个输出端,M-2个阻值为20R的电阻的另一端和阻值为4R的电阻的另一端均接地。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工业大学,未经哈尔滨工业大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710452308.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种固体垃圾等离子气化裂解再生转化方法
- 下一篇:清洁环保柴油乳化剂