[发明专利]存储器系统及用于操作该存储器系统的方法

说明书

交叉引用

本申请要求于2016年9月5日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2016-0113718的韩国专利申请的优先权，该专利申请通过引用被而全部并入本文。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及存储器系统，更具体地，涉及能够设置读取偏压(read bias)的存储器系统以及用于操作该存储器系统的方法。

背景技术

近来，计算机环境的范例转变成使用户随时随地访问计算机系统的普适计算环境。因此，便携式电子装置例如移动电话、数码相机、笔记本电脑等等的使用迅速增加。便携式电子装置通常采用例如作为数据存储装置的存储器系统，该存储器系统使用用于存储数据的存储器装置。数据存储装置可以用作便携式电子装置的主存储器或辅助存储器。

由于数据存储器装置不包括机械驱动单元，因此使用存储器装置的数据存储装置具有优异的稳定性和耐久性。此外，使用存储器装置的数据存储装置的优点在于，其可以快速访问数据并消耗少量的电能。具有这些优点的数据存储装置的非限制性示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡、固态硬盘(SSD)等等。

发明内容

当在存储器系统中执行读取操作且读取偏压被认为是不充足的读取偏压时，可在设置初始偏压之后继续进行读取操作。当存储器系统确定初始偏压时，在擦除状态分布改变的情况下确定的初始偏压会超出充足的读取偏压范围。下文中，初始偏压也可被称作第一读取偏压，且通过调整第一读取偏压而得到的读取偏压也可被称作第二读取偏压。

本发明的实施例针对一种存储器系统，其能确定第一读取偏压的充足性，且当第一读取偏压被确定为不充足时能通过调整第一读取偏压的偏移(offset)而生成第二读取偏压。可通过使用高斯建模算法确定第一读取偏压。

本发明的实施例针对一种存储器系统，其通过对位于基于高斯建模算法而确定的第一读取偏压左侧(被设置在低于第一读取偏压的方向)的单元的数量进行计数，并分析所计数的单元的数量和参考单元数量来确定第一读取偏压的充足性。

本发明的实施例针对一种存储器系统，当第一读取偏压被确定为不充足时，其基于单元的计数数量的错误率和参考单元数量，通过在负方向或正方向上偏移第一读取偏压而生成第二读取偏压。

根据本发明的实施例，存储器系统包括：存储器装置；和控制器，其与存储器装置联接，其中控制器确定用于使被擦除的单元和被编程的单元彼此区分的第一读取偏压，并通过基于第一读取偏压控制存储器装置的读取操作来检测在存储器装置中读取的单元的数量，并且当读取的单元的数量超出容错范围时，通过偏移第一读取偏压而生成第二读取偏压。

可基于高斯建模算法设置第一读取偏压。

第一读取偏压可具有低于被编程的单元的阈值电压且高于被擦除的单元的阈值电压的电压电平。

控制器可包括：读取偏压确定单元，其适于基于高斯建模算法确定第一读取偏压；充足性确定单元，其适于分析基于第一读取偏压读取的被擦除的单元的数量以及参考单元数量，并确定第一读取偏压是否为充足的读取偏压；以及读取偏压控制单元，其适于当第一读取偏压不是充足的读取偏压时，通过基于错误率偏移第一读取偏压来生成第二读取偏压。

当读取的被擦除的单元的数量大于参考单元数量时，读取偏压控制单元可通过在正方向上偏移第一读取偏压以生成第二读取偏压，且其中，当读取的被擦除的单元的数量小于参考单元数量时，读取偏压控制单元可通过在负方向上偏移第一读取偏压以生成第二读取偏压。

控制器可检测在存储器装置中基于第一读取偏压读取的单元中的位于第一读取偏压左侧的单元的数量，并通过分析检测的单元的数量和参考单元数量确定第一读取偏压是否为充足的读取偏压。

当第一读取偏压被确定为是不充足的读取偏压且检测的单元的数量大于参考单元数量时，控制器可通过在正方向上偏移第一读取偏压以生成第二读取偏压，并且其中当第一读取偏压被确定为是不充足的读取偏压且检测的单元的数量小于参考单元数量时，控制器可通过在负方向上偏移第一读取偏压以生成第二读取偏压。

控制器可基于第二读取偏压控制存储器装置的读取操作、检测在存储器装置中读取的单元中的位于第二读取偏压左侧的单元的数量、并通过分析位于第二读取偏压左侧的检测的单元的数量和参考单元数量，确定第二读取偏压是否为充足的读取偏压。

当第一读取偏压或第二读取偏压被确定为是充足的读取偏压时，控制器可通过将充足的读取偏压设置为存储器装置的读取偏压以控制存储器装置的读取操作。