[发明专利]存储器系统及用于操作该存储器系统的方法在审

专利信息
申请号: 201710446052.5 申请日: 2017-06-14
公开(公告)号: CN107799148A 公开(公告)日: 2018-03-13
发明(设计)人: 金敬范 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26
代理公司: 北京路浩知识产权代理有限公司11002 代理人: 赵赫,张晶
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 存储器 系统 用于 操作 方法
【权利要求书】:

1.一种存储器系统,其包括:

存储器装置;和

控制器,其与所述存储器装置联接,

其中,所述控制器确定用于使被擦除的单元和被编程的单元彼此区分的第一读取偏压,

通过基于所述第一读取偏压控制所述存储器装置的读取操作,检测在所述存储器装置中读取的单元的数量,并且

当读取的所述单元的数量超出容错范围时,通过偏移所述第一读取偏压而生成第二读取偏压。

2.根据权利要求1所述的存储器系统,其中基于高斯建模算法设置所述第一读取偏压。

3.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述第一读取偏压具有低于所述被编程的单元的阈值电压且高于所述被擦除的单元的阈值电压的电压电平。

4.根据权利要求3所述的存储器系统,其中所述控制器包括:

读取偏压确定单元,其适于基于所述高斯建模算法确定所述第一读取偏压;

充足性确定单元,其适于分析基于所述第一读取偏压读取的所述被擦除的单元的数量以及参考单元数量,并确定所述第一读取偏压是否为充足的读取偏压;以及

读取偏压控制单元,其适于当所述第一读取偏压不是充足的读取偏压时,通过基于错误率偏移所述第一读取偏压来生成所述第二读取偏压。

5.根据权利要求4所述的存储器系统,其中当读取的所述被擦除的单元的数量大于所述参考单元数量时,所述读取偏压控制单元通过在正方向上偏移所述第一读取偏压来生成所述第二读取偏压,且

其中,当读取的所述被擦除的单元的数量小于所述参考单元数量时,所述读取偏压控制单元通过在负方向上偏移所述第一读取偏压来生成所述第二读取偏压。

6.根据权利要求2所述的存储器系统,其中所述控制器检测在所述存储器装置中基于所述第一读取偏压读取的单元中的位于所述第一读取偏压左侧的单元的数量,以及

通过分析所述检测的单元的数量和所述参考单元数量来确定所述第一读取偏压是否为充足的读取偏压。

7.根据权利要求6所述的存储器系统,其中当所述第一读取偏压被确定为是不充足的读取偏压且所述检测的单元的数量大于所述参考单元数量时,所述控制器通过在正方向上偏移所述第一读取偏压而生成所述第二读取偏压,且

其中,当所述第一读取偏压被确定为是不充足的读取偏压且所述检测的单元的数量小于所述参考单元数量时,所述控制器通过在负方向上偏移所述第一读取偏压而生成所述第二读取偏压。

8.根据权利要求7所述的存储器系统,其中所述控制器进一步适于基于所述第二读取偏压控制所述存储器装置的读取操作、检测在所述存储器装置中读取的单元中的位于所述第二读取偏压左侧的单元的数量、并通过分析位于所述第二读取偏压左侧的所述检测的单元的数量和所述参考单元数量,确定所述第二读取偏压是否为充足的读取偏压。

9.根据权利要求8所述的存储器系统,其中当所述第一读取偏压或所述第二读取偏压被确定为是充足的读取偏压时,所述控制器通过将所述充足的读取偏压设置为所述存储器装置的读取偏压而控制所述存储器装置的读取操作。

10.根据权利要求9所述的存储器系统,其中所述控制器基于所述设置的读取偏压控制所述存储器装置的所述读取操作,并在所述存储器装置的所述读取操作期间基于梯度下降算法控制所述读取偏压。

11.一种存储器系统,其包括:

存储器装置;和

控制器,其与所述存储器装置联接,

其中,所述控制器基于高斯建模算法确定用于使被擦除的单元和被编程的单元彼此区分的第一读取偏压,

基于所述第一读取偏压控制所述存储器装置的读取操作,

将在所述存储器装置中读取的所述单元的数量与基于所述被擦除的单元的参考单元数量进行比较,并且

当所述读取的单元的数量超过容错范围且所述读取的单元的数量小于所述参考单元数量时,通过在正方向上偏移所述第一读取偏压来生成第二读取偏压,并且

当所述读取的单元的数量超过所述容错范围且所述读取的单元的数量大于所述参考单元数量时,通过在负方向上偏移所述第一读取偏压而生成所述第二读取偏压。

12.根据权利要求11所述的存储器系统,其中当所述读取的单元的数量在所述容错范围内时,所述控制器将所述第一读取偏压设置为读取偏压并执行读取操作。

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