[发明专利]一种二维材料碲化锗的制备方法

权利要求书

1.一种二维材料碲化锗的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

(1)称取一定量的碲化锗粉末加入有机溶剂中，混合均匀，其中碲化锗粉末的质量份数与有机溶剂的体积份数比为(2-100)：(5-100)，其中质量份的单位为mg，体积份的单位为mL，所述有机溶剂为乙醇、甲醇、硫醇、二甲基甲酰胺或氯仿；

(2)将步骤(1)中混合均匀的溶液放入细胞粉碎机，进行超声处理，超声处理时间为2-200h，超声功率为100-1000W；

(3)对超声后的碲化锗分散液进行离心处理，取灰黑色的上层清液，二维材料碲化锗分散在上层清液中，其中：离心分离的速度为200r/min-8000r/min，离心时间为5-60min。

2.如权利要求1所述的一种二维材料碲化锗的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中有机溶剂为乙醇或甲醇。

3.如权利要求1所述的一种二维材料碲化锗的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中超声处理时间为100-200h，超声功率为500-1000W。

4.如权利要求1所述的一种二维材料碲化锗的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)中离心分离的速度为5000r/min-8000r/min，离心时间为30-60min。

5.如权利要求1所述的一种二维材料碲化锗的制备方法，其特征在于，通过调整溶剂种类、分散液浓度、剥离时间均可制备出均一的碲化锗二维纳米片。

6.如权利要求1所述的一种二维材料碲化锗的制备方法所制得的分散有二维材料碲化锗的上清液在半导体材质制备中的应用。

7.如权利要求6所述的应用，其特征在于，将分散有单层或少层碲化锗的上清液旋涂到硅片上，在光镜下找到合适的片层材料，在片层两端蒸镀电极，得到场效应晶体管器件。