[发明专利]利用全封闭式坩埚制备溴化镧晶体的方法

权利要求书

1.一种用于生长晶体的全封闭式坩埚，其特征在于，所述坩埚的内部空腔设有一片可拆卸的凸面型盖片，所述盖片与所述坩埚的内径适配，且可沿着坩埚内壁上下移动，所述盖片与所述坩埚的底部形成一个全封闭式的腔体；

所述坩埚、盖片的材质为石英，且石英盖片的厚度与坩埚壁厚一致；

所述坩埚的管口设有石英块，所述石英块和所述坩埚的管口通过环氧树脂密封。

2.根据权利要求1所述的全封闭式坩埚，其特征在于，所述石英盖片的曲率半径R＝(D/2)×sin^-1(α/2)，其中，D＝坩埚内径长度-1mm，15°≤α≤170°。

3.根据权利要求1-2任一项所述的全封闭式坩埚，其特征在于，所述坩埚呈管状结构，且具有尖端底部。

4.利用权利要求1-3任一项所述全封闭式坩埚制备溴化镧晶体的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)选用在高温下不被溴化镧熔解的材料作为籽晶，取适量籽晶放入坩埚底部；

2)将掺铈溴化镧晶体原料加入上述含有籽晶的坩埚内，然后将盖片加盖于原料上部，并用树脂封住坩埚开口端；

3)将封装好的坩埚置于加热炉中，加热熔融，化料完成后保温一段时间，然后逐渐降至室温，即得溴化镧晶体；

其中，步骤2)在充高纯氮气的手套箱内操作。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤1)所述籽晶为石英晶体。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，步骤2)所述掺铈溴化镧晶体原料由无水溴化镧和无水溴化铈混合而成，其中无水溴化铈的掺杂摩尔比为m，0.0001<m<0.1。

7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，步骤3)具体为：将封装好的坩埚置于加热炉中，以50-100℃/h升温至800℃-850℃，在原料熔化阶段，化料温度不高于石英晶体熔点；化料完成后，保温24h-48h，先采用0.3-0.6℃/h的降温速率降温，溴化镧铈熔体在籽晶的作用下，使晶体淘汰出往C轴方向生长的籽晶，继续以0.10-0.15℃/h的降温速率降至室温。