[发明专利]摄像装置

权利要求书

1.一种摄像装置，其包括：

光电转换器，所述光电转换器包括有机光电转换元件；

传输晶体管，所述传输晶体管与所述光电转换器耦合；

浮动扩散区，所述浮动扩散区与所述传输晶体管耦合；以及

放大晶体管，所述放大晶体管与所述浮动扩散区耦合，

其中，所述传输晶体管包括氧化物半导体层的至少一部分。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述有机光电转换元件包括缓冲层，并且所述氧化物半导体层附着到所述有机光电转换元件。

3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述氧化物半导体层包括铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述放大晶体管包括在半导体基板中，并且

所述半导体基板包括第一光电转换区域。

5.根据权利要求4所述的摄像装置，其中，

所述半导体基板包括第二光电转换区域，

所述第二光电转换区域的至少一部分位于所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间，

所述第一光电转换区域被构造成转换红光，

所述第二光电转换区域被构造成转换蓝光，并且

所述有机光电转换元件被构造成转换绿光。

6.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述浮动扩散区与复位晶体管耦合。

7.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：

选择晶体管，所述选择晶体管与所述放大晶体管耦合，以及

信号线，所述信号线与所述选择晶体管耦合。

8.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：

上电极，所述上电极位于所述有机光电转换元件之上。

9.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：

遮光层，所述遮光层位于所述有机光电转换元件的一部分之上。

10.根据权利要求1所述的摄像装置，进一步包括：

紫外线辐射截止滤色器，所述紫外线辐射截止滤色器位于所述有机光电转换元件之上。

11.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述传输晶体管包括位于半导体基板和所述氧化物半导体层之间的栅极电极。

12.根据权利要求11所述的摄像装置，进一步包括：

多层布线层，所述多层布线层位于所述半导体基板和所述氧化物半导体层之间，

其中，所述多层布线层的一部分布置在所述传输晶体管的所述栅极电极和所述氧化物半导体层之间。

13.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，

所述氧化物半导体层包括下电极、所述浮动扩散区以及有源区。

14.一种摄像装置，其包括：

半导体基板；

有机光电转换层，所述有机光电转换层位于所述半导体基板上方；

电极，所述电极在平面图中与所述有机光电转换层重叠，所述电极位于所述半导体基板和所述有机光电转换层之间；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层在平面图中与所述有机光电转换层的至少一部分重叠，所述氧化物半导体层位于所述有机光电转换层和所述电极之间；以及

放大晶体管，

其中，所述电极被构造成将来自所述有机光电转换层的载流子经由所述氧化物半导体层传输到所述放大晶体管。

15.根据权利要求14所述的摄像装置，其中，

所述有机光电转换层包括缓冲层，并且所述氧化物半导体层附着到所述有机光电转换层。