[发明专利]摄像装置

权利要求书

1.一种摄像装置，其包括：

半导体基板；

有机光电转换层，所述有机光电转换层与所述半导体基板重叠；

半导体层，所述半导体层位于所述半导体基板和所述有机光电转换层之间，所述半导体层包括有源区和浮动扩散部；

电极，所述电极位于所述半导体基板的至少一部分和所述有源区的至少一部分之间；和

其中，所述电极被构造成将来自所述有机光电转换层的载流子经由所述有源区传输到所述浮动扩散部。

2.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述半导体层包括氧化物半导体。

3.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述有机光电转换层包括缓冲层，且其中，所述有源区附着到所述有机光电转换层。

4.根据权利要求2所述的摄像装置，其中，所述氧化物半导体包括铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)中的至少一种。

5.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述半导体基板包括第一光电转换区域。

6.根据权利要求5所述的摄像装置，其中，

所述半导体基板包括第二光电转换区域，

所述第二光电转换区域的至少一部分位于所述第一光电转换区域和所述第二光电转换区域之间，

所述第一光电转换区域被构造成转换红光，

所述第二光电转换区域被构造成转换蓝光，且

所述有机光电转换层被构造成转换绿光。

7.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述浮动扩散部耦合到至少一个晶体管。

8.根据权利要求7所述的摄像装置，其中，所述至少一个晶体管至少包括放大晶体管和复位晶体管。

9.根据权利要求8所述的摄像装置，其进一步包括：

选择晶体管，所述选择晶体管耦合到所述放大晶体管；和

信号线，所述信号线耦合到所述选择晶体管。

10.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：上电极，所述上电极位于所述有机光电转换层之上。

11.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：遮光层，所述遮光层位于所述有机光电转换层的一部分之上。

12.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：紫外线辐射截止滤色器，所述紫外线辐射截止滤色器位于所述有机光电转换层之上。

13.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：

多层布线层，所述多层布线层位于所述半导体基板和所述有源区之间，

其中，所述多层布线层的一部分设置在所述电极和所述有源区之间。

14.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述电极为栅极电极。

15.根据权利要求1所述的摄像装置，其进一步包括：传输晶体管，所述传输晶体管包括所述有源区和所述电极。

16.根据权利要求1所述的摄像装置，其中，所述半导体层还包括下电极。

17.一种摄像装置，其包括：

半导体基板，所述半导体基板包括晶体管；

有机光电转换层，所述有机光电转换层与所述半导体基板重叠；

氧化物半导体层，所述氧化物半导体层设置在所述半导体基板和所述有机光电转换层之间；和

电极，所述电极位于所述半导体基板和所述氧化物半导体层之间，

其中，所述电极被构造成将来自所述有机光电转换层的载流子通过所述氧化物半导体层传输到所述晶体管。