[发明专利]一种在非易失性存储器中存储数据的方法及装置

说明书

本申请提出了一种在非易失性存储器中存储数据的方法及装置，该存储器包括，第一存储块和第二存储块对数据进行存储，所述存储块包括，用于存储数据的信息区和用于寄存签名信息的签名区。使用该存储器在存储数据时，需先将存储数据写入当前存储块且标识签名，再将待用的存储块配置为再次写入存储数据和签名信息的存储块(修改待用存储块上的原始数据)。因此，即使在数据写入时发生意外掉电或reset等突发事件，当前存储块上新写入的数据虽未能完成写入，但是另一存储块上的存储数据未被修改，不会丢失数据，降低了存储器内的数据因意外掉电或reset等突发事件造成的数据丢失或损坏的风险。

技术领域

本申请涉及电子通信领域，特别涉及一种闪存的数据存储方法及闪存。

背景技术

非易失性存储器(NVS，nonvolatile storage，non-volatile storage)也称为非易失性存储或非易失性随机存取存储器(NVRAM)，是静态随机存取存储器的一种形式，当计算机关闭或失去它的外部电源的时候，它的内容可以保存下来。因此，在许多常见的应用中，微处理器要求用非易失性存储器来存放其可执行代码、变量和其他暂态数据。

常见的非易失性存储器有可擦可编程只读存储器(Erasable ProgrammableRead-Only Memory，RPROM)、电可擦可编程只读存储器(Electrically ErasableProgrammable Read-Only Memory，EEPROM)、闪存(Flash EEPROM)等类型。每种非易失性存储器根据其成本和性能运用在不同的技术领域。例如，虽然EEPROM使用灵活，可以实现单字节删除与改写，但是其擦写电路占用空间大，在存储容量较大数据时十分不便。

闪存作为一种常用的非易失性存储器，具有存储容量大，携带方便等优点。闪存可以在称为存储块(block)的存储单位中进行删除和改编，即每个存储块共用一个擦除电路，因此在存储大量数据时，其可以大大节省空间，方便数据存储。

但是，在使用闪存进行存储时，即使仅仅修改几个字节，也需要擦除这几个字节所在的块的所有数据，再写入新的数据。众所周知，非易失性存储器的擦除过程比较耗时，如果擦除过程中有意外掉电或者Reset等事件发生时，整个块的数据恰好被擦除或者部分擦除，而这时新写入的数据却没有正常写入，使得原来存储在闪存中的数据不再完整，形成一块“坏数据”区域。如果有相关程序使用到上述“坏数据”区域，整个程序可能无法正常运行(例如程序跑飞或者执行错误)，使得应用该程序的相关产品的稳定性存在极大的隐患。

因此，当非易失性存储器中写入存储数据时，如何降低存储器内的数据因意外掉电或reset等突发事件发生时，发生数据丢失或损坏的风险，是本领域的技术人员亟待解决的问题。

发明内容

本申请提供一种在非易失性存储器中存储数据的方法及装置，用以降低存储器内的数据因意外掉电或reset等突发事件造成的丢失或损坏的风险。

为了达到上述目的，本申请提出了一种在非易失性存储器中存储数据的方法，所述非易失性存储器包括，第一存储块和第二存储块，所述存储块包括，用于存储数据的信息区和用于标识签名信息的签名区，所述方法包括，

将存储数据写入至清空状态的所述第一存储块的信息区并在所述第一存储块的签名区标识签名信息后，将所述第二存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块；

其中，所述存储块为清空状态时，该存储块上未写入存储数据且未标识签名信息。

优选的，根据所述第二存储块的配置状态，将存储数据写入至清空状态的所述第二存储块的信息区并在所述第二存储块的签名区标识签名信息后，将所述第一存储块配置为用于再次写入存储数据并标识有签名信息的存储块。