[发明专利]显示装置及包括其的电子设备在审
申请号: | 201710403706.6 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN107452776A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 包括 电子设备 | ||
1.一种包括多个像素的显示装置,所述多个像素中的至少一个像素包括:
第一区域,所述第一区域包括第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件;以及
透过部分,
其中,所述第一显示元件包括:
设置在第一电极与第二电极之间的EL层,所述第一电极和所述第二电极中的一方具有透光性,且所述第一电极和所述第二电极中的另一方不具有透光性;以及
与所述EL层、所述第一电极和所述第二电极重叠的滤色片。
2.一种包括多个像素的显示装置,所述多个像素中的至少一个像素包括:
第一区域,所述第一区域包括第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件;以及
透过部分,
其中,所述第一显示元件、所述第二显示元件和所述第三显示元件中的每一个包括:
设置在第一电极与第二电极之间的EL层,所述第一电极和所述第二电极中的一方具有透光性,且所述第一电极和所述第二电极中的另一方不具有透光性;以及
与所述EL层、所述第一电极和所述第二电极重叠的滤色片。
3.一种包括多个像素的显示装置,所述多个像素中的至少一个像素包括:
第一区域,所述第一区域包括第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件;以及
透过部分,
其中,所述第一显示元件包括:
设置在第一电极与第二电极之间的EL层,所述第一电极和所述第二电极中的一方具有透光性,且所述第一电极和所述第二电极中的另一方不具有透光性;以及
与所述EL层、所述第一电极和所述第二电极重叠的滤色片,且
其中,所述透过部分的面积大于所述第一显示元件的面积。
4.一种包括多个像素的显示装置,所述多个像素中的至少一个像素包括:
第一区域,所述第一区域包括第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件;以及
透过部分,
其中,所述第一显示元件包括:
设置在第一电极与第二电极之间的EL层,所述第一电极和所述第二电极中的一方具有透光性,且所述第一电极和所述第二电极中的另一方不具有透光性;以及
与所述EL层、所述第一电极和所述第二电极重叠的滤色片,且
其中,所述透过部分的面积大于所述第一区域的面积。
5.一种包括第一像素、第二像素和第三像素的显示装置,所述第一像素包括:
第一区域,所述第一区域包括第一显示元件、第二显示元件和第三显示元件;以及
透过部分,
其中,所述第一显示元件包括:
设置在第一电极与第二电极之间的EL层,所述第一电极和所述第二电极中的一方具有透光性,且所述第一电极和所述第二电极中的另一方不具有透光性;以及
与所述EL层、所述第一电极和所述第二电极重叠的滤色片,且
其中所述透过部分被所述第一显示元件、所述第二显示元件、所述第三显示元件、所述第二像素以及所述第三像素围绕。
6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于,所述第一像素被非透过部分围绕。
7.如权利要求1至5中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述第一显示元件发射红光,
其中,所述第二显示元件发射绿光,且
其中,所述第三显示元件发射蓝光。
8.如权利要求1至5中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述透过部分还包括:
具有透光性的第三电极;以及
具有透光性的第四电极,该第四电极在所述第三电极上。
9.如权利要求1至5中任一项所述的显示装置,其特征在于,
所述透过部分包括透过发光元件,且
其中,在不通过滤色片进行滤光的情况下在所述显示装置的外部提取来自所述透过发光元件的发射。
10.如权利要求1至5中任一项所述的显示装置,其特征在于,所述EL层配置成发射白光。
11.一种包括根据权利要求1至5中任一项所述的显示装置的电子设备。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710403706.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:半导体装置及其制造方法
- 下一篇:碳化硅外延
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的