[发明专利]面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳及其制作方法

权利要求书

1.一种面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，包括陶瓷件(1)和设于陶瓷件(1)背面的针引线(2)，其特征在于，所述陶瓷件的正面(12)的芯片安装区(3)和封口面(4)均采用磨抛方式进行加工，磨抛后陶瓷件(1)的封口面(4)和芯片安装区(3)的平面度均≤1μm/mm或50μm；

所述陶瓷件的正面(12)设有键合区(6)内嵌的凹槽(9)，键合区(6)内嵌在凹槽(9)内；

所述陶瓷件背面(5)的针引线(2)的引出端设有凹槽，凹槽内嵌有焊盘(8)，焊盘(8)的表面低于陶瓷件的背面，所述陶瓷件背面采用磨具磨抛；

所述陶瓷件(1)的芯片安装区(3)设有若干阵列排布的通孔(7)；

所述陶瓷件(1)的封口面(4)上设有安装孔(10)；

所述陶瓷件的正面或背面设有定位标记槽(11)。

2.根据权利要求1所述的面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，其特征在于，当芯片安装区(3)与封口面(4)共面时，芯片安装区(3)的磨抛方式同封口面(4)的磨抛方式，采用抛光机磨抛。

3.根据权利要求1所述的面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，其特征在于，当芯片安装区(3)与封口面(4)共面时，芯片安装区(3)的磨抛方式同封口面(4)的磨抛方式，采用金刚石砂轮磨抛。

4.根据权利要求1所述的面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，其特征在于，当芯片安装区(3)与封口面(4)不共面时，芯片安装区(3)的磨抛方式为金刚石磨头磨抛加工。

5.根据权利要求1所述的面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳，其特征在于，所述针引线(2)的引线节距包括1.27mm、2.54mm、2.54mm交错，引线数≤1000；所述陶瓷件(1)的外形尺寸为，长宽≤200.00mm×200.00mm，高度≤20.00mm。

6.一种如权利要求1-5中任一项权利要求所述的面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳的制作方法，其特征在于，包括以下工艺：流延、落料、冲孔、填孔、印刷、层压、热切、烧结、磨抛、镀镍、钎焊、镀金。

7.根据权利要求6所述的面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳的制作方法，其特征在于，所述陶瓷件背面采用金刚石磨头或金刚石砂轮磨抛。

8.根据权利要求6所述的面阵电荷耦合器件封装用陶瓷外壳的制作方法，其特征在于，所述陶瓷件背面采用抛光机磨抛。