[发明专利]一种掩膜板、基板以及显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示装置制备技术领域，特别涉及一种掩膜板、基板以及显示装置。

背景技术

如图1所示，现有技术中黑矩阵掩膜板的开口设计，其开口角落会有不同1-10μm不等的尖锐倒角，以前在较低解析度的曝光机下曝出的图案开口角落处均比较圆滑，而随着现有技术中曝光机的解析度提高，使曝出的图案角落分明，虽然高解析度的曝光机曝出的结果更加还原黑矩阵掩膜板的图案，但是高解析度曝光机曝出的图案开口角落的倒角处的曲率半径较小，结构间隙较大，电荷容易聚集，这样的角落容易残留带电粒子，使由高解析度曝光机生产出的玻璃不容易清洗干净，进而会引起由此制成的显示装置残像不良。

发明内容

本发明提供了一种掩膜板、基板以及显示装置，使用该掩膜板配合高解析度曝光机进行构图时，可以较清晰还原掩膜板的图案，且得到的图案的开口区域的角落处两个相邻边之间圆滑过渡，不容易聚集电荷，有利于残留的带电粒子的清洗，进而对利用本发明提供的掩膜板制备的显示装置有改善残像的效果。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种掩膜板，用于显示装置制备，包括平板，所述平板上设有与显示装置的像素单元一一对应的多个开口；其中，每个所述开口的角落中，每相邻的两个边之间圆滑过渡。

上述掩膜板，用于显示装置制备，掩膜板包括平板，平板上设有与显示装置的像素单元一一对应的多个开口，每个开口的角落中，每相邻的两个边之间圆滑过渡，当使用上述掩膜板配合高解析度的曝光机进行构图时，可以更好的还原掩膜板的图案，且得到的图案的开口区域的角落处两个相邻边之间圆滑过渡，则使相邻两边之间的拐角曲率半径较大，结构元间隙小，不容易聚集电荷，有利于残留的带电粒子的清洗。

因此，使用上述掩膜板配合高解析度曝光机进行构图时，可以较清晰、确切的还原掩膜板的图案，且得到的图案的开口区域的角落处两个相邻边之间圆滑过渡，不容易聚集电荷，有利于残留的带电粒子的清洗，进而对利用本发明提供的掩膜板制备的显示装置有改善残像的效果。

进一步地，所述平板上设有的多个开口中，每一个所述开口中的角落处，每相邻的两个边的交接处形成圆滑曲线型结构。

进一步地，每一个所述开口的角落处，每相邻的两个边的交接处形成弧形结构。

本发明还提供了一种基板，包括衬底和黑矩阵，所述黑矩阵制备的构图工序中上述技术方案中所述的任意一种掩膜板进行曝光处理。

另外，本发明还提供了一种显示装置，包括上述技术方案中所述的基板。

附图说明

图1为现有技术中黑矩阵掩膜板的部分结构示意图；

图2为本发明实施例提供的掩膜板的部分结构示意图；

图3为图2中Ⅰ处的局部放大图；

图4为图2中Ⅱ处的局部放大图。

图标：1-平板；2-开口。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参考图2，本发明实施例提供了一种掩膜板，用于显示装置制备，包括平板1，平板1上设有与显示装置的像素单元一一对应的多个开口2；其中，每个开口2的角落中，每相邻的两个边之间圆滑过渡。

上述掩膜板，用于显示装置制备，掩膜板包括平板1，平板1上设有与显示装置的像素单元一一对应的多个开口2，每个开口2的角落中，每相邻的两个边之间圆滑过渡，当使用上述掩膜板配合高解析度的曝光机进行构图时，可以更好的还原掩膜板的图案，且得到的图案的开口区域的角落处两个相邻边之间圆滑过渡，则使相邻两边之间的拐角曲率半径较大，结构元间隙小，不容易聚集电荷，有利于残留的带电粒子的清洗。

因此，使用上述掩膜板配合高解析度曝光机进行构图时，可以较清晰、确切的还原掩膜板的图案，且得到的图案的开口区域的角落处两个相邻边之间圆滑过渡，不容易聚集电荷，有利于残留的带电粒子的清洗，进而对利用本发明实施例提供的掩膜板制备的显示装置有改善残像的效果。

如图3和图4所示，上述掩膜板中，平板1上设有的多个开口2中，每一个开口2中的角落处，每相邻的两个边的交接处形成圆滑曲线型结构。开口2角落处相邻边之间交接处形成圆滑曲线型结构，可以达到开口2的角落处相邻的两个边之间圆滑过渡的效果，且结构简单，易于加工。