[发明专利]一种硅基表面增强拉曼基底的制备方法

权利要求书

1.一种硅基表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于单晶硅通过表面微结构制备的方法获得有序金字塔结构，在有序金字塔粒子上镀有一层金膜；

所述单晶硅表面金字塔纳米粒子的直径为0.5-1.5 μm，所述金膜的厚度为50-200 nm；

所述硅基表面增强拉曼基底的制备方法包括以下步骤：

（1）采用碱性溶液腐蚀获得单晶硅表面有序金字塔结构；

（2）采用离子溅射镀膜法在有序金字塔结构的单晶硅表面镀上一层金膜；

步骤（1）包括：先将单晶硅晶片p型< 100 >其电阻率为1-3Ω•cm切成大小1.6cm×1.6cm用作腐蚀实验，反应前对单晶硅进行预处理，去除表面杂质和氧化物；用等离子清洗仪清洗10min，先后放入纯水和无水乙醇中超声5min，浸泡在溶度为4%的HF中60s，再用超纯水超声洗净5min，烘干备用，超纯水电阻率为18.25 MΩ•cm；配置溶度为10wt%K₂CO₃和2wt%K₂SiO₃溶液，磁力搅拌器温度设为85℃，达到温度时把经过预处理的单晶硅片放入密闭容器中反应20min，反应结束用超纯水反复超声清洗，烘干备用。

2.根据权利要求1所述的一种硅基表面增强拉曼基底的制备方法，其特征在于步骤（2）包括：

把腐蚀后的单晶硅片放入离子溅射镀膜机内的基片架上，换成金钯溅射；调节转盘速度，使金粒子能均匀溅射到金字塔表面，当容器室压力 0.08mb时开始镀膜，镀膜厚度可通过改变溅射时间和电流大小来调节。