[发明专利]光探测器

说明书

一种光探测器，其包括一半导体元件、一第一电极、一第二电极及一电流探测元件，所述半导体元件、第一电极、第二电极、电流探测元件相互电连接形成一回路结构，该半导体元件包括：一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构。

技术领域

本发明涉及一种光探测器。

背景技术

光探测器是一种探测光能的器件。一般光探测器的工作原理是基于光电效应，基于材料吸收了光辐射能量后改变了它的电学性能，从而可以探测出光的存在以及光能的大小。半导体器件被越来越多的应用到光探测器中。然而，受技术水平的限制，半导体器件常常为微米结构，一定程度上限制了光探测器的尺寸，影响了其应用范围。

发明内容

有鉴于此，确有必要提供一种光探测器以克服以上缺点。

一种光探测器，其包括一半导体元件、一第一电极、一第二电极及一电流探测元件，所述半导体元件、第一电极、第二电极、电流探测元件相互电连接形成一回路结构，该半导体元件包括：一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构；其中，所述第一电极与碳纳米管电连接，所述第二电极与导电膜电连接。

相较于现有技术，本发明所提供的光探测器包括一半导体元件，该半导体元件中，碳纳米管、半导体结构和导电膜构成一纳米级的异质结，故，该光探测器可以具有较小的尺寸，同时在应用时具有较低的能耗以及更高的完整性。

附图说明

图1为本发明第一实施例提供的光探测器的整体结构示意图。

图2为本发明第一实施例提供的光探测器中的半导体元件的侧视示意图。

图3为本发明另实施例提供的另一种半导体元件侧视示意图。

图4为本发明第二实施例提供的光探测器的部分结构示意图。

主要元件符号说明

光探测器 10；20

半导体元件 100

碳纳米管 102

半导体结构 104

P型半导体层 104a

N型半导体层 104b

导电膜 106

多层立体结构 110

第一电极 202

第二电极 204

第三电极 208

绝缘层 210

电流探测元件 212

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。