[发明专利]光探测器有效
| 申请号： | 201710374706.8 | 申请日： | 2017-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN108933182B | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 张金;魏洋;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/105 | 分类号： | H01L31/105 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 探测器 | ||
1.一种光探测器，其包括一半导体元件、一第一电极、一第二电极及一电流探测元件，所述半导体元件、第一电极、第二电极、电流探测元件相互电连接形成一回路结构，该半导体元件包括：
一半导体结构，所述半导体结构包括一P型半导体层及一N型半导体层，并定义一第一表面及与第一表面相对的第二表面；
一碳纳米管，该碳纳米管设置于半导体结构的第一表面；
一导电膜，该导电膜通过沉积方法形成于所述半导体结构的第二表面，使半导体结构设置于碳纳米管和导电膜之间，碳纳米管、半导体结构与导电膜相互层叠形成一多层立体结构；
其中，所述半导体元件为一纳米级的半导体元件，所述半导体结构为一二维结构，其被不对称的夹在所述碳纳米管和所述导电膜之间，所述第一电极与所述碳纳米管电连接，所述第二电极与所述导电膜电连接。
2.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述碳纳米管为金属型碳纳米管。
3.如权利要求2所述的光探测器，其特征在于，所述碳纳米管为单壁碳纳米管。
4.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述多层立体结构的横截面面积在1nm2～10000nm2之间。
5.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述半导体结构的厚度为1nm～20000nm。
6.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述导电膜的沉积方法包括离子溅射、磁控溅射或其它镀膜方法。
7.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述半导体结构的第一表面为P型半导体层的表面，第二表面为N型半导体层的表面。
8.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，进一步包括一第三电极及一绝缘层层叠设置，所述半导体元件、所述第一电极及所述第二电极设置于绝缘层的表面，所述第三电极通过绝缘层与所述半导体元件、所述第一电极及所述第二电极绝缘设置，所述第三电极为所述半导体元件的控制电极。
9.如权利要求8所述的光探测器，其特征在于，所述半导体元件中的碳纳米管设置于绝缘层的表面，半导体元件中的半导体结构覆盖所述碳纳米管设置于绝缘层的表面。
10.如权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述第一电极位于碳纳米管的一端并贴合碳纳米管表面，所述第二电极位于导电膜的一端并贴合导电膜的表面。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
