[发明专利]一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体及其制备方法

权利要求书

1.一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体，其特征在于：其分子式为(Bi_1-xHo_x)₄Si₃O₁₂，其中x为0.0005~0.05。

2.权利要求书1所述的一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1）一个称取反应原料的步骤，所述的原料为Bi₂O₃、SiO₂和Ho₂O₃，按照分子式(Bi_1-xHo_x)₄Si₃O₁₂中的各元素化学组成进行配料，x的取值范围是0.0005~0.05；

2）一个采用两步烧结法制备多晶原料的步骤，将上述初始原料充分混合均匀，在700-750 ℃预烧结8-12 h，自然冷却至室温后将原料进行研磨，再在800-850℃下烧结8-12 h，得到组分均匀的Ho掺杂硅酸铋多晶粉末烧结料；

3）一个采用坩埚下降法生长Ho掺杂硅酸铋晶体的步骤，将步骤2）合成的烧结料装入底部装有BSO籽晶的铂金坩埚中，将坩埚装入下降炉中，调整到适当位置使原料处于炉膛高温区，炉温控制在1075 ℃-1200℃，固液界面温度梯度为35-50℃/cm，生长速率控制在0.25-0.5mm/h；待晶体生长结束后，进行原位退火处理，将装有生长晶体的坩埚回升到炉膛内恒温区位置，在800-900℃温度下退火12-15h即得一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体（已给出范围）。

3.如权利要求2所述的一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体的制备方法，其特征在于：所述的下降炉炉内可同时安放多只坩埚，实现一炉同时生长多根晶体。

4.如权利要求2所述的一种Ho掺杂硅酸铋绿光荧光体的制备方法，其特征在于：所述的坩埚的形状为圆柱形、长方柱形、或者板状。