[发明专利]灵敏放大器电路

说明书

本发明提供了一种灵敏放大器电路，所述灵敏放大器电路连接一存储器电路的位线单元，所述所述灵敏放大器电路包括钳位单元、预充电单元、电流镜单元和比较单元，其中：所述钳位单元包括第一晶体管和一反相器模块；所述第一晶体管的漏极连接所述预充电单元和所述电流镜单元；所述第一晶体管的源极连接所述反相器模块的输入端和所述位线单元，所述预充电单元为所述钳位单元充电并在所述第一晶体管的源极与所述位线单元的连接处形成一位线电压；所述第一晶体管的栅极连接所述反相器模块的输出端；所述第一晶体管的阈值电压小于所述反相器模块输出端的电压值减去所述位线电压的值。

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种灵敏放大器电路。

背景技术

灵敏放大器电路是存储器的一个重要组成部分，直接影响存储器的读取速度。灵敏放大器感应位线上的小信号变化并通过放大所述小信号变化来得到存储单元上储存的数据。在感应位线上的小信号变化前，灵敏放大器的钳位单元会将位线电压调整至固定值，以使位线电压尽快稳定，进而可在读取时感应到稳定的位线电流。但在银行卡、MCU等领域，存储器的设计要满足低功耗的要求，因此电源的工作电压也相应降低，这对灵敏放大器设计提出了一定挑战。

因此，需要设计一种适用于低功耗的灵敏放大器电路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种灵敏放大器电路，以解决现有的灵敏放大器电路的损耗大的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种灵敏放大器电路，所述灵敏放大器电路连接一存储器电路的位线单元，所述所述灵敏放大器电路包括钳位单元、预充电单元、电流镜单元和比较单元，其中：

所述钳位单元包括第一晶体管和一反相器模块；

所述第一晶体管的漏极连接所述预充电单元和所述电流镜单元，所述第一晶体管的源极连接所述反相器模块的输入端和所述位线单元，所述第一晶体管的栅极连接所述反相器模块的输出端；

所述预充电单元为所述钳位单元充电并在所述第一晶体管的源极与所述位线单元的连接处形成一位线电压；

所述位线电压输入给所述存储器电路的位线单元，形成一位线电流；

所述电流镜单元向所述钳位单元提供参考电流；

所述位线电流与所述参考电流提供至所述钳位单元进行比较，所述钳位单元根据所述位线电流与所述参考电流的比较结果形成一数据点电压；

所述数据点电压输入给所述比较单元，与一参考电压进行比较，所述比较单元根据所述数据点电压和所述参考电压的比较结果输出数据读取结果；

所述第一晶体管的阈值电压小于所述反相器模块输出端的电压值减去所述位线电压的值。

可选的，在所述的灵敏放大器电路中，所述第一晶体管为零阈值N型场效应管。

可选的，在所述的灵敏放大器电路中，所述第一晶体管的阈值电压为0V～0.45V之间。

可选的，在所述的灵敏放大器电路中，所述反相器模块包括第二晶体管和第三晶体管，其中：

所述第二晶体管的栅极接地，所述第二晶体管的源极连接电源；

所述第三晶体管的栅极连接第一晶体管的源极，所述第三晶体管的源极接地；

所述第二晶体管和所述第三晶体管的漏极连接在一起，并连接所述第一晶体管的栅极。

可选的，在所述的灵敏放大器电路中，所述第二晶体管为P型场效应管，所述第三晶体管为N型场效应管。

可选的，在所述的灵敏放大器电路中，所述反相器模块还包括第四晶体管，所述第四晶体管为P型场效应管，所述第四晶体管的栅极和漏极连接所述第一晶体管的栅极，所述第四晶体管的源极连接电源。