[发明专利]灵敏放大器电路

权利要求书

1.一种灵敏放大器电路，所述灵敏放大器电路连接一存储器电路的位线单元，其特征在于，所述灵敏放大器电路包括钳位单元、预充电单元、电流镜单元和比较单元，其中：

所述钳位单元包括第一晶体管和一反相器模块；

所述第一晶体管的漏极连接所述预充电单元和所述电流镜单元，所述第一晶体管的源极连接所述反相器模块的输入端和所述位线单元，所述第一晶体管的栅极连接所述反相器模块的输出端；

所述预充电单元为所述钳位单元充电并在所述第一晶体管的源极与所述位线单元的连接处形成一位线电压；

所述位线电压输入给所述存储器电路的位线单元，形成一位线电流；

所述电流镜单元向所述钳位单元提供一参考电流；

所述位线电流与所述参考电流提供至所述钳位单元进行比较，所述钳位单元根据所述位线电流与所述参考电流的比较结果形成一数据点电压；

所述数据点电压输入给所述比较单元，与一参考电压进行比较，所述比较单元根据所述数据点电压和所述参考电压的比较结果输出数据读取结果；

所述第一晶体管的阈值电压小于所述反相器模块输出端的电压值减去所述位线电压的值；

所述反相器模块包括第二晶体管和第三晶体管，其中：

所述第二晶体管的栅极接地，所述第二晶体管的源极连接电源；

所述第三晶体管的栅极连接第一晶体管的源极，所述第三晶体管的源极接地；

所述第二晶体管和所述第三晶体管的漏极连接在一起，并连接所述第一晶体管的栅极。

2.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第一晶体管为零阈值N型场效应管。

3.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第一晶体管的阈值电压为0V～0.45V之间。

4.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第二晶体管为P型场效应管，所述第三晶体管为N型场效应管。

5.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述反相器模块还包括第四晶体管，所述第四晶体管为P型场效应管，所述第四晶体管的栅极和漏极连接所述第一晶体管的栅极，所述第四晶体管的源极连接电源。

6.如权利要求5所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述灵敏放大器电路还包括第五晶体管，所述第五晶体管的源极连接电源，所述第五晶体管的漏极连接所述第二晶体管和所述第四晶体管的源极，所述第五晶体管的栅极连接导通控制电压。

7.如权利要求6所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述第五晶体管为P型场效应管，所述第五晶体管处于导通状态。

8.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述电源的工作电压值为0.9V～1.7V之间。

9.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述预充电单元包括第六晶体管，所述第六晶体管为P型场效应管，所述第六晶体管的源极连接电源，所述第六晶体管的栅极连接预充电控制电压，所述第六晶体管的漏极连接所述第一晶体管的漏极。

10.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述电流镜单元包括第七晶体管，所述第七晶体管为P型场效应管，所述第七晶体管的源极连接电源，所述第七晶体管的栅极连接电流镜控制电压，所述第七晶体管的漏极连接所述第一晶体管的漏极。

11.如权利要求1所述的灵敏放大器电路，其特征在于，所述位线电压的值为0.6V～0.8V之间。