[发明专利]一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅粉料的合成方法

权利要求书

1.一种碳化硅晶体生长用大粒径碳化硅（SiC）粉料的合成方法，所述合成方法包括:

采用高纯硅粉和高纯碳粉为原料并混合均匀，将混合均匀后的粉末原料分为数份置于坩埚中，每份粉末原料之间用石墨片隔离；其中高纯硅粉和高纯碳粉的粒径均小于200μm；

将上述坩埚放入加热炉中，抽真空到炉内部压力小于10^-3Pa后，充入压力为1×10⁴Pa到9×10⁴Pa范围内的惰性气体；

再将炉内温度由室温升到SiC粉料合成温度并在此温度和惰性气体压力为1×10⁴Pa到9×10⁴Pa范围内保持5～30小时；SiC粉料合成温度为1500℃～2400℃；

然后将炉内温度降至室温，即可得到碳化硅晶体生长用的大粒径SiC粉料，所述大粒径粉料粒径大于500μm。

2.根据权利要求1所述的合成方法，其中高纯硅粉和高纯碳粉的纯度均大于99.998%。

3.根据权利要求1所述的合成方法，其中高纯硅粉和高纯碳粉为原料的摩尔比范围为1:1～1.5:1。

4.根据权利要求1所述的合成方法，其中高纯硅粉和高纯碳粉为原料的摩尔比为1:1。

5.根据权利要求1所述的合成方法，其中石墨片的密度为1.0 g/cm³～1.9 g/cm³。

6.根据权利要求1所述的合成方法，其中石墨片的形状为圆形。

7.根据权利要求1所述的合成方法，其中石墨片的直径比坩埚内径小0.2～2mm。

8.根据权利要求1所述的合成方法，其中石墨片与相邻石墨片之间的距离为10～150mm。

9.根据权利要求8所述的合成方法，其中石墨片与相邻石墨片之间的距离为20～50mm。

10.根据权利要求1所述的合成方法，其中数份为2～11份，隔离用的石墨片数量为1～10个。

11.根据权利要求1所述的合成方法，其中加热炉包括高频感应加热炉.中频感应加热炉.石墨电阻加热炉。

12.根据权利要求1所述的合成方法，其中加热炉的内部压力在抽真空到压力小于10^-3Pa后，在密封状态下12小时内炉内压力不超过10Pa。

13.根据权利要求1所述的合成方法，其中惰性气体为氩气和/或氦气。