[发明专利]一种OLED微型显示器阴极环防反射膜及其制备方法有效
申请号: | 201710365611.X | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107425139B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 茆胜 | 申请(专利权)人: | 茆胜 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 王少虹;刘洁 |
地址: | 广东省深圳市福田区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 微型 显示器 阴极 反射 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及一种OLED微型显示器阴极环防反射膜及其制备方法。该制备方法通过制备带有阴极环的OLED微型显示器阴极层;再将阴极环防反射层掩膜版装载至所述OLED微型显示器阴极层上;采用掩膜镀膜法,通过所述阴极环防反射层掩膜版,将防反射材料沉积在所述OLED微型显示器阴极层上,以制得一层防反射膜,能够快速简便地解决显示器显示区周边的亮边问题。该方法不仅不影响器件光电性能、而且工艺匹配程度高、遮挡效果好、工艺兼容性高,且采用该方法制得的OLED微型显示器阴极环防反射膜能够对显示区完全遮挡,进而大幅降低磁控溅射高能粒子对器件造成的损伤。
技术领域
本发明涉及一种反射膜及其制备方法,更具体地说,涉及一种OLED微型显示器阴极环防反射膜及其制备方法。
背景技术
在OLED微型显示器的生产和制备过程中,一般采用顶发射式发光器件结构,其阳极为保证较高的反射率通常采用厚金属层(500-2000埃米)制备,而阴极环与阳极一体制备成型,因此也有着较高的反射率。导致在器件使用时会看到显示区边界的亮边(即高反射阴极环),影响显示效果。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,提供一种能够解决显示区边界亮边问题的阴极环防反射膜及其制备方法。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种OLED微型显示器阴极环防反射膜制备方法,其包括以下步骤:
S1、制备带有阴极环的OLED微型显示器阴极层;
S2、使用阴极环防反射层掩膜版装载至所述OLED微型显示器阴极层上;
S3、采用掩膜镀膜法,通过所述阴极环防反射层掩膜版,将防反射材料沉积在所述OLED微型显示器阴极层上,以制得一层防反射膜。
优选地,在S1步骤中,所制得的所述OLED微型显示器阴极层为半透明金属阴极层。
优选地,所述阴极环设置在所述OLED微型显示器显示区的外围。
优选地,在S2步骤中,所述阴极环防反射层掩膜版上设有与所述阴极环位置相对应且尺寸相适配的镂空部分和加强筋部分。
优选地,在S2步骤中,包括以下步骤,
S2.1、将所述镂空部分对准所述阴极环;
S2.2、调整所述阴极环防反射层掩膜版与所述阴极环之间的距离。
优选地,在S3步骤中,所述防反射材料包括C、Si、Ge、AgO、MnO2、FeO、CuO中的一种或多种,所述防反射材料的厚度为200-100000埃米。
优选地,在S3步骤中,所述掩膜镀膜法包括磁控溅射法、热蒸镀法、电子束蒸镀法以及激光脉冲蒸镀法。
优选地,在S3步骤中,包括以下步骤:
S3.1、在原OLED镀膜设备内,传入磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀腔室;
S3.2、通过装载好的阴极环防反射层掩膜版,使用所述磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀在阴极环上沉积一层阴极环防反射膜。
优选地,在S3.2步骤中,所述防反射材料通过的所述镂空部分在所述阴极环上沉积形成所述防反射膜。
本发明还构造一种OLED微型显示器阴极环防反射膜,采用上述的制备方法制得。
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