[发明专利]一种OLED微型显示器阴极环防反射膜及其制备方法有效
申请号: | 201710365611.X | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107425139B | 公开(公告)日: | 2019-08-20 |
发明(设计)人: | 茆胜 | 申请(专利权)人: | 茆胜 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙) 44314 | 代理人: | 王少虹;刘洁 |
地址: | 广东省深圳市福田区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 微型 显示器 阴极 反射 及其 制备 方法 | ||
1.一种OLED微型显示器阴极环防反射膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、制备带有阴极环的OLED微型显示器阴极层;
S2、使用阴极环防反射层掩膜版装载至所述OLED微型显示器阴极层上,并将所述阴极环防反射层掩膜版上与所述阴极环位置相对应且尺寸相适配的镂空部分对准所述阴极环;
S3、采用掩膜镀膜法,通过所述阴极环防反射层掩膜版,将防反射材料沉积在所述OLED微型显示器阴极层上的阴极环,以制得一层防反射膜。
2.根据权利要求1所述的OLED微型显示器阴极环防反射膜的制备方法,其特征在于,在S1步骤中,所制得的所述OLED微型显示器阴极层为半透明金属阴极层。
3.根据权利要求1所述的OLED微型显示器阴极环防反射膜的制备方法,其特征在于,所述阴极环设置在所述OLED微型显示器显示区的外围。
4.根据权利要求3所述的OLED微型显示器阴极环防反射膜的制备方法,其特征在于,在S2步骤中,所述阴极环防反射层掩膜版上还设有与所述阴极环位置相对应且尺寸相适配的加强筋部分。
5.根据权利要求4所述的OLED微型显示器阴极环防反射膜的制备方法,其特征在于,在S2步骤中,包括以下步骤,
调整所述阴极环防反射层掩膜版与所述阴极环之间的距离。
6.根据权利要求4所述的OLED微型显示器阴极环防反射膜的制备方法,其特征在于,在S3步骤中,所述防反射材料包括C、Si、Ge、AgO、MnO2、FeO、CuO中的一种或多种,所述防反射材料的厚度为200-100000埃米。
7.根据权利要求5所述的OLED微型显示器阴极环防反射膜的制备方法,其特征在于,在S3步骤中,所述掩膜镀膜法包括磁控溅射法、热蒸镀法、电子束蒸镀法以及激光脉冲蒸镀法。
8.根据权利要求7所述的OLED微型显示器阴极环防反射膜的制备方法,其特征在于,在S3步骤中,包括以下步骤:
S3.1、在原OLED镀膜设备内,传入磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀腔室;
S3.2、通过装载好的阴极环防反射层掩膜版,使用所述磁控溅射、热蒸镀、电子束蒸镀或激光脉冲蒸镀在阴极环上沉积一层阴极环防反射膜。
9.根据权利要求8所述的OLED微型显示器阴极环防反射膜的制备方法,其特征在于,在S3.2步骤中,所述防反射材料通过的所述镂空部分在所述阴极环上沉积形成所述防反射膜。
10.一种OLED微型显示器阴极环防反射膜,其特征在于,采用权利要求1至9任一项所述的制备方法制得。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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H01L51-54 .. 材料选择