[发明专利]有机顶部发光显示器的阳极电极结构及制作方法、显示器在审
申请号: | 201710365172.2 | 申请日: | 2017-05-22 |
公开(公告)号: | CN107452770A | 公开(公告)日: | 2017-12-08 |
发明(设计)人: | 茆胜 | 申请(专利权)人: | 茆胜 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/50 |
代理公司: | 深圳市瑞方达知识产权事务所(普通合伙)44314 | 代理人: | 郭方伟,冯小梅 |
地址: | 广东省深圳市福田区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 顶部 发光 显示器 阳极 电极 结构 制作方法 | ||
技术领域
本发明涉及显示器技术领域,更具体地说,涉及一种有机顶部发光显示器的阳极电极结构及制作方法、显示器。
背景技术
OLED显示技术具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点,以及简单的制备工艺、较低的工作电压、高效能、低能耗等诸多优异特性,受到全球显示和照明产业的普遍关注。
其中,顶部发光OLED的基本结构是由一层金属作为阳极,阳极之上为有机发光层,最后由ITO等透明材料制作成的阴极形成一个发光二极管结构。
常规的顶部发光OLED结构与其他OLED结构一样,由阳极、阴极(以及介于阳极和阴极之间的有机发光层构成)。OLED的发光机理和过程是从阴、阳极分别注入电子和空穴,被注入的电子和空穴在有机层内传输,并在发光层内复合,从而激发发光层分子产生单态激子,单态激子辐射衰减而发光。
目前用于此类结构的阳极电极一般为Al/Ag等高反射率的金属,但是这些单一金属电极要么功函数不匹配,要么化学稳定性差,不耐氧化、不耐腐蚀,在顶部发光OLED器件中,阳极被水汽等化学物质侵蚀后会造成显示器亮度不均匀,接触电阻升高等影响。因此,需要提供一种既要保证好的反射率,又要化学性质稳定的阳极结构。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述缺陷,提供一种有机顶部发光显示器的阳极电极结构及制作方法、显示器。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:构造一种有机顶部发光显示器的阳极电极结构,包括基板,以及制作于所述基板表面的阳极电极;
所述基板为硅基板;
所述阳极电极为包含多层膜结构的阳极电极,所述多层膜结构包括依次制作于所述基板表面的第一金属层、第二金属层、以及金属保护层。
在本发明所述的有机顶部发光显示器的阳极电极结构中,优选地,所述第一金属层、第二金属层、以及金属保护层采用蒸镀或磁控溅射的方式依次制作于所述基板表面。
在本发明所述的有机顶部发光显示器的阳极电极结构中,优选地,所述第一金属层为铬层。
在本发明所述的有机顶部发光显示器的阳极电极结构中,优选地,所述第二金属层为铝层。
在本发明所述的有机顶部发光显示器的阳极电极结构中,优选地,所述金属保护层为氮化钛层。
在本发明所述的有机顶部发光显示器的阳极电极结构中,优选地,所述第一金属层的厚度和所述金属保护层的厚度均小于所述第二金属层的厚度。
本发明还提供一种有机顶部发光显示器,所述有机顶部发光显示器上述任一项所述的阳极电极。
在本发明所述的有机顶部发光显示器中,优选地,还包括位于所述阳极电极表面的发光层、以及位于所述发光层表面的阴极电极。
在发明还提供一种有机顶部发光显示器的阳极电极的制作方法,所述制作方法包括以下步骤:
S1、提供一硅基板;
S2、采用蒸镀或磁控溅射的方式,在所述硅基板上依次制作第一金属层、第二金属层、以及金属保护层;所述第一金属层为铬层,所述第二金属层为铝层,所述金属保护层为氮化钛层。
在本发明所述的有机顶部发光显示器的阳极电极的制作方法中,优选地,所述第一金属层的厚度和所述金属保护层的厚度均小于所述第二金属层的厚度。
实施本发明的有机顶部发光显示器的阳极电极结构,具有以下有益效果:该阳极电极结构包括基板,以及制作于基板表面的阳极电极,基板为硅基板;所述阳极电极为包含多层膜结构的阳极电极,所述多层膜结构包括第一金属层、第二金属层、以及金属保护层,且所述第一金属层、第二金属层、以及金属保护层依次制作于所述基板表面。实施本发明的阳极电极不仅可以得到较高的功函数、而且化学稳定性好、耐氧化、耐腐蚀,在顶部发光OLED器件中,阳极电极不易被水汽等化学物质侵蚀,显示器亮度均匀,接触电阻也不受影响,同时还可以获得较高的反射率及良好的导电性。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
图1是本发明有机顶部发光显示器的阳极电极结构第一实施例的结构示意图;
图2是本发明有机顶部发光显示器第一实施例的结构示意图;
图3是本发明有机顶部发光显示器的阳极电极结构的制作方法第一实施例的流程示意图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的