[发明专利]一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷

权利要求书

1.一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷，其组成为MgZr(Nb_1-xTa_x)₂O₈，其中0＜x≤0.1；

上述镁锆铌钽系微波介质陶瓷的制备方法，具有以下步骤：

(1)将MgO、ZrO₂,、Nb₂O₅、Ta₂O₅原料，按化学式MgZr(Nb_1-xTa_x)₂O₈，0＜x≤0.1进行配料，按原料：去离子水：氧化锆球质量比为2：16：15的比例加入球磨罐中，在球磨机上球磨10小时；

(2)将步骤(1)球磨后的原料置于110℃温度干燥箱中烘干，烘干后过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；

(3)将步骤(2)混合均匀的粉料装入坩埚后置于高温炉中，在1100℃预烧2小时；

(4)在步骤(3)预烧后的陶瓷粉料放入球磨罐中，加入去离子水与氧化锆球，在球磨机上二次球磨10小时，并于110℃温度干燥箱中烘干；烘干后在陶瓷粉料中外加8％重量百分比的石蜡进行造粒，过60目筛，再用粉末压片机压制成坯体；

(5)将步骤(4)的坯体于1280～1320℃烧结，保温4小时，制得镁锆铌钽系微波介质陶瓷。

2.根据权利要求1的一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的MgO、ZrO₂,、Nb₂O₅、Ta₂O₅原料的质量纯度大于99.9％。

3.根据权利要求1的一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)、步骤(4)的球磨机为行星式球磨机。

4.根据权利要求1的一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(1)的x＝0.1。

5.根据权利要求1的一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)的粉末压片机的压力为6Mpa。

6.根据权利要求1的一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(4)的坯体为直径10mm，厚度5mm的圆柱体。

7.根据权利要求1的一种具有高品质因数的镁锆铌钽系微波介质陶瓷，其特征在于，所述步骤(5)的烧结温度为1300℃，保温4小时。