[发明专利]一种干法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201710358532.6 | 申请日： | 2017-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN107123596A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 邹浩;丁振宇;刘志攀;陈幸 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 刻蚀 方法 | ||
1.一种干法刻蚀方法，包括：
提供一干法刻蚀腔体；
提供一半导体基底，半导体基底由下至上依次包括器件层、铜互联层、介电层以及图案化的掩膜层；
其特征在于，干法刻蚀方法还包括：
主刻蚀的步骤，以图案化的掩膜层进行干法刻蚀，以去除部分介电层；
过刻蚀的步骤，继续以图案化的掩膜层，配合碳氟聚合物和过量的氧气进行干法刻蚀，以暴露铜互联层；
去除掩膜层。
2.根据权利要求1的干法刻蚀方法，其特征在于，在进行主刻蚀步骤之前，干法刻蚀方法还包括：
预清理的步骤，向干法刻蚀腔体内通入预定体积的氧气以清除附着在半导体基底的掩膜层上的碳氟聚合物。
3.根据权利要求2所述的干法刻蚀方法，其特征在于，进行所述预清理时，所述反应腔室内的压力为300mt。
4.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，进行所述主刻蚀时，所述反应腔室内的压力为60mt。
5.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，进行所述过刻蚀时，所述反应腔室内的压力为60mt。
6.根据权利要求2所述的干法刻蚀方法，其特征在于，进行所述预清理时，所述氧气的流量为1500sccm。
7.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，利用第一刻蚀气体进行所述主刻蚀，所述第一刻蚀气体包括四氟化碳、三氟甲烷以及氮气；
所述四氟化碳的流量为150sccm，所述三氟甲烷的流量为50sccm，所述氮气的流量为170sccm。
8.根据权利要求1所述的干法刻蚀方法，其特征在于，利用第二刻蚀气体进行所述过刻蚀，所述第二刻蚀气体包括四氟化碳、氩、氧气以及氮气；
所述四氟化碳的流量为80sccm，所述氩的流量为500sccm，所述氧气的流量为20sccm，所述氮气的流量为170sccm。
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