[发明专利]一种不间断式进片回片装置及控制方法有效
申请号: | 201710356787.9 | 申请日: | 2017-05-19 |
公开(公告)号: | CN108962804B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 彭博;洪旭东 | 申请(专利权)人: | 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 李巨智 |
地址: | 110168 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 不间断 式进片回片 装置 控制 方法 | ||
本发明涉及一种不间断式进片回片装置,在底部设置LOAD PORT,从左向右依次为第一LOAD PORT、第二LOAD PORT、第三LOAD PORT和第四LOAD PORT,在第一LOAD PORT和第四LOAD PORT的对应上方分别设置第一缓存区和第二缓存区,用于临时存放FOUP缓存;在第一缓存区和第二缓存区的对应上方分别设置出片区和进片区,用于天车取放FOUP;还包括传送机构,用于在LOAD PORT、缓存区、进片区、出片区之间传递FOUP,设置于与LOAD PORT和缓存区所在平面不同且平行的平面内。本发明采用平面内FOUP交换功能,大大提高空间利用率,节省资源;采用双侧单独内循环方式进行循环,增加FOUP利用率;避免由于多单元换片盒时,片盒都空载等待回片而短时间不能进片的影响,实现无间断连续送片。
技术领域
本发明涉及半导体设备的进片回片领域,具体地说是一种不间断式进片回片装置及控制方法。
背景技术
目前,随着国内半导体产业的迅猛发展,芯片制造数量与质量同步提高半导体设备产能要求必然要上升到一个新的高度,由于半导体厂投资建厂需要巨额资金,所以厂商需要在有限的位置内放置更多的设备成为节减与发展的必经之路,因此该形式的传片回片设备必须要满足高产能小空间的要求来达到预期目标,传片设备的产能由FOUP数量决定,而FOUP横向增多会导致机台过宽,占地面积增大,并且机器人横向行程加长等一系列不良问题,有些厂商会增加机器人来换FOUP,这样增加了纵向的占地面积。净化厂房寸土寸金,现有架构的EFEM中FOUP数量固定,影响了产能的提高,所以一种纵向发展的高产能EFEM是提高设备产能的必然趋势。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供一种具有满足产能高,占地空间小,平面式传递特点的不间断式进片回片装置及控制方法。
本发明为实现上述目的所采用的技术方案是:
一种不间断式进片回片装置,在底部设置LOAD PORT,所述LOAD PORT包括四个,从左向右依次为第一LOAD PORT、第二LOAD PORT、第三LOAD PORT和第四LOAD PORT;
在所述第一LOAD PORT和第四LOAD PORT的对应上方分别设置第一缓存区和第二缓存区,用于临时存放FOUP缓存;
在所述第一缓存区和第二缓存区的对应上方分别设置出片区和进片区,用于天车取放FOUP;
还包括传送机构,用于在LOAD PORT、缓存区、进片区、出片区之间传递FOUP,设置于与LOAD PORT和缓存区所在平面不同且平行的平面内,使传送机构与LOAD PORT、缓存区、进片区、出片区互不影响。
所述传送机构的X轴负责调整FOUP横坐标,Z轴负责调整FOUP纵坐标,R轴进行FOUP抓取,运动顺序为Z轴与X轴同时运动,R轴最后抓取FOUP。
所述第一缓存区接收第二LOAD PORT的FOUP;所述第二缓存区接收第三LOAD PORT的FOUP。
所述第二LOAD PORT和第三LOAD PORT只向匀胶显影机传递晶圆。
所述第一LOAD PORT和第四LOAD PORT既向匀胶显影机传递晶圆,又接收匀胶显影机送回的晶圆。
一种不间断式进片回片装置的控制方法,包括以下过程:
步骤1:将第一LOAD PORT、第二LOAD PORT、第三LOAD PORT、第四LOAD PORT和进片区的FOUP装满,依次将第一LOAD PORT、第四LOAD PORT、第二LOAD PORT和第三LOAD PORT中的FOUP里的晶圆送入匀胶显影机;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造