[发明专利]半导体器件的制造方法

说明书

本发明公开了半导体器件的制造方法，其目的在于提高半导体器件的可靠性。在该方法中，准备衬底，在半导体衬底(SB)上层叠绝缘层(BX)、半导体层(SM)和绝缘膜(ZM1)，在沟槽(TR)内埋设有元件隔离区域(ST)。除去体区域(1B)的绝缘膜后，使用第一蚀刻液除去体区域的半导体层，然后使用与第一蚀刻液不同的第二蚀刻液使SOI区域(1A)的绝缘膜和体区域的绝缘层变薄。对SOI区域的半导体衬底离子注入杂质后，除去SOI区域的绝缘膜和体区域的绝缘层。第一蚀刻液对绝缘膜和绝缘层的蚀刻速度比第一蚀刻液对半导体层的蚀刻速度小，第二蚀刻液对绝缘膜和绝缘层的蚀刻速度比第一蚀刻液对绝缘膜和绝缘层的蚀刻速度大。

技术领域

本发明涉及半导体器件的制造方法，例如涉及有效适用于使用了SOI(Silicon OnInsulator：绝缘体上硅)衬底的半导体器件的制造技术。

背景技术

为了制造半导体器件，在半导体衬底上形成元件隔离区域，在由元件隔离区域规定出的半导体衬底的活性区域形成MISFET(Metal Insulator Semiconductor FieldEffect Transistor：金属绝缘体半导体场效应晶体管)等半导体元件，在半导体衬底上形成多层布线结构。另外，有使用SOI衬底作为半导体衬底的技术。

在JP特开2002-9144号公报(专利文献1)、JP特开2004-363121号公报(专利文献2)、JP特开2006-222329号公报(专利文献3)以及JP特表2007-526652号公报(专利文献4)中，记载了与具有STI(Shallow Trench Isolation：浅沟道隔离)的半导体器件相关的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：JP特开2002-9144号公报

专利文献2：JP特开2004-363121号公报

专利文献3：JP特开2006-222329号公报

专利文献4：JP特表2007-526652号公报

发明内容

在使用SOI衬底来制造的半导体器件中，期望提高可靠性。

其他问题及新特征，可由本说明书的记述以及附图得以明确。