[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

(a)工序，准备衬底，该衬底具有半导体衬底、所述半导体衬底上的绝缘层、所述绝缘层上的半导体层、所述半导体层上的第一绝缘膜、将所述第一绝缘膜、所述半导体层以及所述绝缘层贯穿而到达所述半导体衬底的沟槽、埋设在所述沟槽内的元件隔离区域；

(b)工序，在所述(a)工序后，通过蚀刻来除去所述衬底的第一区域的所述第一绝缘膜而使所述第一区域的所述半导体层露出，并使所述衬底的与所述第一区域不同的第二区域的所述第一绝缘膜留下来；

(c)工序，在所述(b)工序后，通过蚀刻来除去所述第一区域的所述半导体层而使所述第一区域的所述绝缘层露出；

(d)工序，在所述(c)工序后，对所述第一区域的所述绝缘层和所述第二区域的所述第一绝缘膜进行蚀刻，使所述第一区域的所述绝缘层的厚度和所述第二区域的所述第一绝缘膜的厚度变薄；

(e)工序，在所述(d)工序后，对所述第二区域的所述半导体衬底离子注入杂质，来形成第一半导体区域；

(f)工序，在所述(e)工序后，通过蚀刻来除去所述第一区域的所述绝缘层和所述第二区域的所述第一绝缘膜，使所述第一区域的所述半导体衬底和所述第二区域的所述半导体层露出；以及

(g)工序，在所述(f)工序后，在所述第一区域的所述半导体衬底上形成第一晶体管，在所述第二区域的所述半导体层上形成第二晶体管，

所述绝缘层、所述第一绝缘膜和所述元件隔离区域由相同材料构成，

在所述(c)工序中，使用第一蚀刻液，通过湿法蚀刻来除去所述第一区域的所述半导体层，

在所述(d)工序中，使用与所述第一蚀刻液不同的第二蚀刻液，通过湿法蚀刻来除去所述第一区域的所述绝缘层和所述第二区域的所述第一绝缘膜，

使用了所述第一蚀刻液时的所述第一绝缘膜以及所述绝缘层的蚀刻速度，比使用了所述第一蚀刻液时的所述半导体层的蚀刻速度小，

使用了所述第二蚀刻液时的所述第一绝缘膜以及所述绝缘层的蚀刻速度，比使用了所述第一蚀刻液时的所述第一绝缘膜以及所述绝缘层的蚀刻速度大。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一绝缘膜、所述绝缘层和所述元件隔离区域由氧化硅构成。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第二蚀刻液是氢氟酸。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一蚀刻液是APM液。

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述半导体层由硅构成。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在俯视下，在所述第一区域与所述第二区域的边界，配置有所述元件隔离区域。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述(b)工序中，将覆盖所述第二区域的所述第一绝缘膜并且使所述第一区域的所述第一绝缘膜露出的第一掩模层用作蚀刻掩模，通过蚀刻来除去所述第一区域的所述第一绝缘膜，使所述第一区域的所述半导体层露出。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在所述(f)工序中，使用与所述第二蚀刻液相同种类的第三蚀刻液，通过湿法蚀刻来除去所述第一区域的所述绝缘层和所述第二区域的所述第一绝缘膜。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述第一绝缘膜、所述绝缘层和所述元件隔离区域由氧化硅构成，

所述第二蚀刻液和所述第三蚀刻液都是氢氟酸。