[发明专利]一种MicroLED屏封装用高强抗老化硅胶

说明书

技术领域

本发明涉及硅胶技术领域，具体涉及一种Micro LED屏封装用高强抗老化硅胶。

背景技术

随着Micro LED芯片及其封装工艺技术的发展，以前传统的环氧树脂胶水已经无法满足现有封装生产的需要，Micro LED硅胶逐渐取代环氧树脂应用在Micro LED封装领域，以提高光源的流明和降低光源的成本。而使用Micro LED和集成工艺的发展，便是目前的发展方向之一。伴随Micro LED技术发展，芯片越来越多的集中在有限尺寸空间，并不断提高光源功率，对硅胶的耐热性能、出光效率提出更高的要求。针对大功率、高亮度、高功率灯珠、COB、户外路灯、汽车照明领域的光源Micro LED出光及散热问题，散热不良会造成热量的积累，而传统有机材料在短波辐射和热作用下会严重老化，无法满足显示屏的封装要求，严重影响显示屏的寿命和可靠性。

发明内容

本发明旨在提供了一种Micro LED屏封装用高强抗老化硅胶。

本发明提供如下技术方案：

一种Micro LED屏封装用高强抗老化硅胶，其是由如下重量份数的原料组成：改性硅胶26-30份、聚硅氧烷A 50-90份、聚硅氧烷B10-50份、环己烷二甲酸二缩水甘油酯9-16份、甲基苯基含氢硅树脂12-20份、聚苯硫醚8-10份、二甲基苯胺3-6份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯7-12份、改性二氧化硅粉末3-5份、过氧化二碳酸二异丙酯5-8份、玻璃纤维2-6份、固化促进剂3-6份。

所述改性硅胶的制备方法为：所述改性硅胶是将二氨基二苯甲烷、氯乙烯与硅胶加入到反应釜，117℃恒温1h，随后加入富马酸搅拌，冷却后得到。

所述聚硅氧烷A的结构式为：

(R1-R2-2SiO1/2)a(R1-R2-SiO)b(R2-2SiO)c(R2-SiO3/2)d(SiO2)e，其中，R1为烯烃基，R2-为烷基，R3-为芳香基，a＝5-10，b＝20-40，c＝10-15，d＝30-40，e＝10-20，a+b+c+d+e＝100。

所述聚硅氧烷B的结构式为：

(HR2-2SiO1/2)o(R2-H-SiO)p(R2-SiO3/2)q(SiO2)r，其中，R2为烷基，o＝10-40，p＝40-60，q＝30-60，r＝20-30，o+p+q+r＝100。

所述甲基苯基含氢硅树脂制备是向配以恒压漏斗、温度计、磁力搅拌和蒸馏装置的500mL三口瓶中，依次加入氢二甲基乙酰氧基硅烷、甲苯和三氟甲烷磺酸，搅拌下升温到50℃，经30min向反应瓶中以恒压漏斗滴加苯基三甲氧基硅烷，滴加完毕后，继续搅拌反应2-3h，升温到80℃蒸馏除去低沸点液体，冷却至室温后，首先用去离子水洗至中性，加入5％NaHCO3搅拌1h，再用去离子水洗至中性，然后旋蒸得到。

所述固化促进剂为氯铂酸和四甲基二乙烯基二硅氧烷的配合物。

所述改性二氧化硅粉末的制备方法为：将聚多巴胺与二氧化硅粉末进行旋涡混匀，随后加入邻苯二甲酸二丁酯，7MPa下反应30min，冷却后烘干即得。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明制备出的封装硅胶具有高折射率和耐高温性能，解决Micro LED屏封装硅胶的耐高温性能较差和亮度损失问题，从而提高光源的可靠性和寿命，有效改善封装材料的综合性能。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例1一种Micro LED屏封装用高强抗老化硅胶，其是由如下重量份数的原料组成：改性硅胶26份、聚硅氧烷A 50份、聚硅氧烷B 10份、环己烷二甲酸二缩水甘油酯9份、甲基苯基含氢硅树脂12份、聚苯硫醚8份、二甲基苯胺3份、三羟甲基丙烷三丙烯酸酯7份、改性二氧化硅粉末3份、过氧化二碳酸二异丙酯5份、玻璃纤维2份、固化促进剂3份。

所述改性硅胶的制备方法为：所述改性硅胶是将二氨基二苯甲烷、氯乙烯与硅胶加入到反应釜，117℃恒温1h，随后加入富马酸搅拌，冷却后得到。

所述聚硅氧烷A的结构式为：