[发明专利]并联配置的电阻存储器元件

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

第一非易失性电阻存储器元件；以及

第二非易失性电阻存储器元件，其与所述第一非易失性电阻存储器元件并联地耦合。

2.如权利要求1所限定的存储器单元，其中，所述第一非易失性电阻存储器元件和所述第二非易失性电阻存储器元件能够在第一电阻状态和第二电阻状态下工作，并且其中，所述第一电阻状态和所述第二电阻状态中的每一个均代表不同的数据状态。

3.如权利要求1所限定的存储器单元，其中，所述第一非易失性电阻存储器元件和所述第二非易失性电阻存储器元件形成于在电介质层中蚀刻出的第一接触孔和第二接触孔中。

4.如权利要求3所限定的存储器单元，其中，所述电介质层形成在第一金属层和第二金属层之间。

5.如权利要求1所限定的存储器单元，其中，所述第一非易失性电阻存储器元件和所述第二非易失性电阻存储器元件形成在相同的电介质层中。

6.如权利要求1-5中的任何一项所限定的存储器单元，其中，通过在所述第一金属层和所述第二金属层中形成的多条导电线将所述第一非易失性电阻存储器元件和所述第二非易失性电阻存储器元件并联地连接。

7.如权利要求1-5中的任何一项所限定的存储器单元，其中，所述第一非易失性电阻存储器元件和所述第二非易失性电阻存储器元件中的至少一个耦合到晶体管的源极-漏极区域。

8.如权利要求1-5中的任何一项所限定的存储器单元，其中，所述存储器单元被连接到存储器阵列中的至少第二存储器单元。

9.一种形成存储器单元的方法，包括：

在衬底中形成存取晶体管；

在所述衬底上形成第一金属层；

在所述第一金属层上沉积金属间电介质层；

在所述金属间电介质层中蚀刻出第一接触孔和第二接触孔；以及

分别在所述第一接触孔和所述第二接触孔中形成第一非易失性电阻存储器元件和第二非易失性电阻存储器元件。

10.如权利要求9所限定的方法，其中，形成所述第一非易失性电阻存储器元件和所述第二非易失性电阻存储器元件包括：

在所述第一接触孔和所述第二接触孔中形成第一底部电极和第二底部电极；

在所述第一底部电极和所述第二底部电极上沉积第一氧化物层和第二氧化物层；

在所述第一氧化物层和所述第二氧化物层上形成第一顶部电极和第二顶部电极；以及

在所述第一顶部电极和所述第二顶部电极上形成第二金属层。

11.如权利要求10所限定的方法，进一步包括：

对所述第一接触孔和所述第二接触孔执行化学-机械平坦化。

12.如权利要求10所限定的方法，其中，沉积所述第一氧化物层和所述第二氧化物层进一步包括：

分别在所述第一底部电极和所述第二底部电极上沉积具有第一氧化物的第一层和第二层；以及

分别在具有所述第一氧化物的第一层和第二层上沉积具有第二氧化物的第一层和第二层。

13.如权利要求10所限定的方法，其中，所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层包括由锗、硅和硒构成的元素族中的至少一种元素的氧化物。

14.如权利要求10-13中的任何一项所限定的方法，其中，所述第一接触部和所述第二接触部的横截面形状是根据蚀刻所述第一接触部和所述第二接触部的方法来确定的。

15.如权利要求10-13中的任何一项所限定的方法，其中，所述第二非易失性电阻存储器元件与所述第一非易失性电阻存储器元件同时形成。

16.如权利要求10-13中的任何一项所限定的方法，其中，所述第一非易失性电阻存储器元件和所述第二非易失性电阻存储器元件中的至少一个耦合到所述存取晶体管的源极-漏极端子。

17.一种集成电路，包括：

第一存储器单元；

第二存储器单元；以及

选择晶体管，其中，所述第一存储器单元和所述第二存储器单元被连接到所述选择晶体管的相同的源极-漏极端子。