[发明专利]一种衬底扩散片的制造工艺在审
| 申请号： | 201710346868.0 | 申请日： | 2017-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN107170664A | 公开（公告）日： | 2017-09-15 |
| 发明（设计）人： | 陶耀轩;陈震;葛军 | 申请（专利权）人： | 扬州晶新微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司11212 | 代理人： | 谈杰 |
| 地址： | 225009 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 扩散 制造 工艺 | ||
1.一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，是采用单面扩磷工艺来制造，包括以下步骤：
步骤S1：选取单晶片，给每个单晶片刻上号码，为后面工艺步骤的追溯性提供条件；
步骤S2：将刻号后的单晶片放置氢、氧气环境中进行衬底氧化；
步骤S3：在单晶片的非刻号面上进行匀胶、前烘和坚膜；
步骤S4：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中，去除单晶片刻号面的氧化层；
步骤S5：将单晶片从纯氢氟酸溶液中取出，去除单晶片非刻号面的光刻胶，经过清洁处理后进行衬底磷预散；
步骤S6：将完成衬底磷预散的单晶片进行衬底第二次氧化；
步骤S7：将单晶片进行衬底第二次磷扩散；
步骤S8：将单晶片放置于纯氢氟酸溶液中进行漂光；
步骤S9：将漂光后单晶片的高阻面进行减薄和抛光，最后得到所需衬底扩散片。
2.根据权利要求1所述的一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，所述步骤S1中单晶片的厚度为300微米-350微米。
3.根据权利要求2所述的一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，所述步骤S2中的氧化时间为15-24h，氧化的温度为1200℃-1250℃，氧化层的厚度不小于3微米。
4.根据权利要求3所述的一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，所述步骤S5中衬底磷预散的温度是1180℃，时间为200min。
5.根据权利要求4所述的一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，所述步骤S6中氧化的条件是温度为1150℃，氧化时间为8h-12h。
6.根据权利要求5所述的一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，所述步骤S7中衬底第二次磷扩散的工艺温度为1280℃，时间180h-250h，通入的气体流量为氮气：4L/min，氧气：4L/min。
7.根据权利要求6所述的一种衬底扩散片的制造工艺，其特征在于，所述步骤S9中所述磨头为6000目以上。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
