[发明专利]显示面板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示面板的制程和显示装置。

背景技术

液晶显示器具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有市场上的液晶显示器大部分为背光型液晶显示器，其包括液晶面板及背光模组(Backlight Module)。液晶面板的工作原理是在两片平行的玻璃基板当中放置液晶分子，并在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶分子的旋转方向，以将背光模组的光线折射出来产生画面。

其中，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，TFT-LCD)由于具有低的功耗、优异的画面品质以及较高的生产良率等性能，目前已经逐渐占据了显示领域的主导地位。同样，薄膜晶体管液晶显示器包含液晶面板和背光模组，液晶面板包括彩膜基板(Color Filter Substrate，CF Substrate，也称彩色滤光片基板)和薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor Substrate，TFT Substrate)，上述基板的相对内侧存在透明电极。两片基板之间夹一层液晶分子(Liquid Crystal，LC)。液晶面板是通过电场对液晶分子取向的控制，改变光的偏振状态，并藉由偏光板实现光路的穿透与阻挡，实现显示的目的。

另有一种OLED(Organic Light-Emitting Diode)显示器，采用机发光二极管自发光来进行显示，具有自发光、广视角、几乎无穷高的对比度、较低耗电、极高反应速度等优点。

OLED显示器也需要采用薄膜晶体管进行控制，但传统非晶硅结构的薄膜晶体管迁移率(mobility)较低，无法适用于OLED显示器。

发明内容

本发明的一个目的在于提供一种提高半导体层迁移率的显示面板。

本发明的另一个目的在于提供一种显示装置，其提高了半导体层迁移率。

为解决上述问题，本发明的实施例提供了显示面板包括：

一种显示面板，所述显示面板包括：

基板，具有多个像素区；

第一金属层，设置在基板上；

绝缘层，设置在第一金属层上，

半导体层，设置在绝缘层上，包括掺杂锗金属的半导体化合物；

第二金属层；设置在半导体层上；

所述半导体化合物的迁移率大于非晶硅。

进一步的，所述半导体层的半导体化合物为富氧锗化合物。

进一步的，所述半导体层的半导体化合物为富氧锗硅化合物。

进一步的，所述半导体层包括：

有源层，设置在绝缘层上；

N型掺杂层，设置在有源层上；

所述有源层包括掺杂锗金属的半导体化合物。

进一步的，所述有源层的半导体化合物为富氧锗化合物。

进一步的，所述有源层的半导体化合物为富氧锗硅化合物。

进一步的，所述N型掺杂层包括富氧锗化合物或富氧锗硅化合物。

进一步的，所述绝缘层包括富氧锗硅化合物。

进一步的，所述半导体层包括设置在绝缘层上的有源层，设置在有源层上的N型掺杂层，所述第二金属层上覆盖有钝化层；所述第二金属层包括设置在N型掺杂层上的源极金属层和漏极金属层；所述有源层上方还设有沟道，所述沟道隔断源极金属层和漏极金属层以及N型掺杂层；

所述绝缘层包括富氧锗硅化合物；所述有源层和N型掺杂层都包括掺杂锗金属的半导体化合物。

锗(Ge)是一种灰白色类金属，有光泽，质硬，属于碳族，化学性质与同族的锡与硅相近。在自然中，锗共有五种同位素，原子量在70至76之间。它能形成许多不同的有机金属化合物。锗的导电的本领优于一般非金属，劣于一般金属，熔密度为5.32克/cm，有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率。将锗掺杂到薄膜晶体管的半导体层内，能有效提高迁移率，满足OLED显示的要求。

附图说明

所包括的附图用来提供对本申请实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本申请的实施方式，并与文字描述一起来阐释本申请的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本发明一个实施例显示面板的的结构示意图；

图2是本发明另一个实施例显示面板的结构示意图；