[发明专利]显示面板和显示装置在审
| 申请号： | 201710342080.2 | 申请日： | 2017-05-12 |
| 公开（公告）号： | CN107359203A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 卓恩宗;田轶群 | 申请（专利权）人： | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙)44240 | 代理人： | 邢涛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
基板，具有多个像素区；
第一金属层，设置在基板上；
绝缘层，设置在第一金属层上，
半导体层，设置在绝缘层上，包括掺杂锗金属的半导体化合物；
第二金属层；设置在半导体层上；
所述半导体化合物的迁移率大于非晶硅。
2.如权利要去1所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层的半导体化合物为富氧锗化合物。
3.如权利要去1所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层的半导体化合物为富氧锗硅化合物。
4.如权利要去1所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层包括：
有源层，设置在绝缘层上；
N型掺杂层，设置在有源层上；
所述有源层包括掺杂锗金属的半导体化合物。
5.如权利要去4所述的显示面板，其特征在于，所述有源层的半导体化合物为富氧锗化合物。
6.如权利要去4所述的显示面板，其特征在于，所述有源层的半导体化合物为富氧锗硅化合物。
7.如权利要去4所述的显示面板，其特征在于，所述N型掺杂层包括富氧锗化合物或富氧锗硅化合物。
8.如权利要去1所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层包括富氧锗硅化合物。
9.如权利要去1所述的显示面板，其特征在于，所述半导体层包括设置在绝缘层上的有源层，设置在有源层上的N型掺杂层，所述第二金属层上覆盖有钝化层；所述第二金属层包括设置在N型掺杂层上的源极金属层和漏极金属层；所述有源层上方还设有沟道，所述沟道隔断源极金属层和漏极金属层以及N型掺杂层；
所述绝缘层包括富氧锗硅化合物；所述有源层和N型掺杂层都包括掺杂锗金属的半导体化合物。
10.一种显示装置，包括如权利要求1-9任一所述的显示面板。
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