[发明专利]形成取代接触窗的方法及导电结构

说明书

本揭露描述一种形成取代接触窗的方法。举例而言，取代接触窗可包含具有一或多个第一侧壁表面及顶表面的金属。形成第一介电质，其中第一介电质是邻接金属的一或多个第一侧壁表面。形成第二介电质在第一介电质及金属的顶表面上。形成开口在第二介电质内。金属氧化物结构可选择性地成长在金属的顶表面上，其中金属氧化物结构具有一或多个第二侧壁表面。形成一或多个间隙壁，其中前述间隙壁是邻接金属氧化物结构的一或多个第二侧壁表面。再者，移除金属氧化物结构。

技术领域

本揭露是关于一种取代接触窗，特别是关于一种形成取代接触窗的方法及导电结构。

背景技术

具有缩小的临界尺寸(critical dimensions，CDs)的金属线及具有紧密的节距(pitch)的设计(例如高密度图案)对黄光微影制程施加严格的对准要求，且在晶片制造过程中，增加黄光微影重叠误差(overlay error)的风险。黄光微影重叠误差可导致接触窗对接触窗的未对准。此未对准将损及晶片的电子特性及效能。

发明内容

本揭露的一态样为一种形成取代接触窗的方法，其是包含形成具有顶表面的第一金属在第一介电质内。形成具有一或多个侧壁表面的金属氧化物结构在第一金属的上方。形成一或多个间隙壁邻接金属氧化物结构的一或多个侧壁表面。再者，形成第二介电质邻接一或多个间隙壁，第二介电质是覆盖第一介电质的暴露部分。形成开口在金属氧化物结构内，以暴露出该第一金属的该顶表面的一部分。

本揭露的另一态样为一种形成取代接触窗的方法，其是包含形成具有暴露的顶表面的第一金属在第一介电质内。形成自组装单分子层在第一介电质上，以暴露出第一金属的顶表面。成长包含一或多个第一侧壁表面的金属氧化物结构在第一金属上。移除自组装单分子层，并形成一或多个间隙壁邻接于金属氧化物结构的一或多个第一侧壁表面。形成第二介电质邻接于一或多个间隙壁。再者，第二介电质覆盖第一介电质。移除金属氧化物结构，以暴露出第一金属的顶表面的部分。

本揭露的另一态样为一种形成取代接触窗的方法，其是包含沉积具有暴露的顶表面的金属在第一介电质内。形成具有一或多个侧壁表面的金属氧化物结构在金属的上方。形成第二介电质。第二介电质邻接金属氧化物结构，并覆盖第一介电质。移除金属氧化物结构，以暴露出金属的顶表面。移除金属氧化物结构是利用选择性蚀刻制程。

本揭露的再一态样为一种导电结构，其是包含被第一介电质包围的第一导电结构、形成在第一介电质上的第二介电质、嵌入第二介电质内且被分开的一对间隙壁以及嵌入第二介电质内且形成在第一导电结构的顶表面上的第二导电结构。第一导电结构具有第一宽度。此对间隙壁的每一个间隙壁是插入在第二导电结构的侧壁及第二介电质之间。

本揭露的一态样为一种导电结构，其是包含被第一介电质包围的第一导电结构、形成在第一导电结构上的第二导电结构、在第二导电结构的每一侧壁上的间隙壁以及形成在第一介电质上并邻接间隙壁的第二介电质。第一导电结构的多个侧壁边缘是与第二导电结构的多个侧壁边缘对齐。间隙壁与第一导电结构不重叠。

本揭露的另一态样为一种导电结构，其是包含被第一介电质包围的第一导电结构、第二导电结构以及形成在第一介电质上的第二介电质。第二导电结构包含底部部分及顶部部分，其顶部部分比底部部分更宽，底部部分与第一导电结构实体接触，且底部部分的宽度与第一导电结构的宽度实质相等。第二介电质包围第二导电结构的多个侧壁。

附图说明

根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。

图1是绘示根据本揭露一些实施例的被介电层侧向环绕的金属区域的等角视图；

图2至图8是绘示根据本揭露一些实施例的在一系列制程步骤后的部分制作的取代接触窗的剖面视图；

图9是绘示根据本揭露一些实施例的取代接触窗的剖面视图；