[发明专利]显示设备及其主动式阵列开关基板在审
申请号: | 201710335553.6 | 申请日: | 2017-05-12 |
公开(公告)号: | CN107272235A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 陈猷仁 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司;重庆惠科金渝光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/133 | 分类号: | G02F1/133;G02F1/1343;H01L31/075 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司11228 | 代理人: | 亓赢 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道水田村民*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 设备 及其 主动 阵列 开关 | ||
技术领域
本发明涉及一种显示设备及其主动式阵列开关基板,特别是涉及一种显示设备及其主动式阵列开关,可增加太阳能的产生效益。
背景技术
太阳能是一种具有无污染的能源,可解决目前能源短缺与石化能源污染的问题,一直是最受瞩目的焦点。而太阳能电池(solar cell)可直接将太阳能转换为电能,因此成为目前相当重要的研究课题。在目前的太阳能电池市场中,使用单晶硅与多晶硅的电池约占百分之九十以上。但是,这些太阳能电池需使用厚度约150微米至350微米的硅芯片作为材料,其成本较高。再者,由于太阳能电池的原材料采用高质量的硅晶锭,近年来因使用量的明显成长,已日渐不足。因此,具有低成本、容易大面积生产与模块化制程简单的薄膜太阳能电池(thin film solar cell)研发乃成为新的发展方向。
依照光电效应,当光线照射在导体或半导体上时,光子与导体或半导体中的电子作用,会造成电子的流动,而光的波长越短,频率越高,电子所具有的能量就越高,例如紫外线所具有的能量便高于红外线,因此,同一材料被紫外线照射产生的流动电子能量将较高。并非所有波长的光都能转化为电能,只有频率超越可产生光电效应的标准值时,电流才能产生。
现有技术的太阳能电池的光电转换层通常使用非晶硅(a-Si)薄膜,但因为其能隙介于1.75至1.8eV之间,只能吸收波长小于750nm的太阳光,不能吸收到整个太阳能光谱,导致硅薄膜太阳能电池的光电转换效率偏低。
发明内容
为了解决上述光电转换效率偏低的问题,本发明的目的即在于提供一种主动式阵列开关基板,包括:一基板;一主动式阵列开关,形成于所述基板上,所述主动式阵列开关包括有一源极电极;一太阳能结构,配置于所述源极电极上,所述太阳能结构包括一太阳能电池;以及一可透光电极,覆盖于所述太阳能电池上;其中,所述太阳能电池包括一N型层、一微晶硅结构I型层及一P型层,自远离所述源极电极的方向依序堆栈而成。
在本发明的实施例中,所述微晶硅结构I型层是由硅甲烷与氢气以等离子体辅助化学气相沉积制成,所述氢气与所述硅甲烷的混成比值介于40~200。
在本发明的实施例中,所述可透光电极的材质选自氧化锌、二氧化锡、氧化铟锡及氧化铟其中之一。
为了解决上述光电转换效率偏低的问题,本发明的另一目的即在于提供一种主动式阵列开关基板,包括:一基板;一主动式阵列开关,形成于所述基板上,所述主动式阵列开关包括有一源极电极;一第一太阳能结构,配置于所述源极电极上,所述第一太阳能结构包括一第一太阳能电池;一第二太阳能结构,配置于所述第一太阳能结构上,所述第二太阳能结构包括一第二太阳能电池;以及一可透光电极,覆盖于所述第二太阳能电池上;其中,所述第一太阳能电池包括一N 型层、一微晶硅结构I型层及一P型层,自远离所述源极电极的方向依序堆栈而成,所述第二太阳能电池包括一N型层、一非晶硅结构I型层及一P型层,自远离所述源极电极的方向依序堆栈而成。
在本发明的实施例中,所述微晶硅结构I型层是由硅甲烷与氢气以等离子体辅助化学气相沉积制成,所述氢气与所述硅甲烷的混成比值介于40~200。
在本发明的实施例中,所述可透光电极的材质选自氧化锌、二氧化锡、氧化铟锡及氧化铟其中之一。
为了解决上述光电转换效率偏低的问题,本发明的又一目的即在于提供一种显示设备,包括:一显示面板;至少一堆栈式太阳能结构,配置于所述显示面板的周围,用以吸收光线并转换成电能供所述显示设备使用;以及一主动式阵列开关,配置于所述显示面板的一侧,用以控制所述显示面板的显像功能。
在本发明的实施例中,所述堆栈式太阳能结构包括:一透明基板;多个可透光电极,等间距配置于所述透明基板上;多个太阳能结构,以适当的距离分别沉积在对应的所述可透光电极上,使得每一可透光电极与其对应太阳能结构定义为一个太阳能电池单元;以及多个金属电极,分别形成于对应的所述太阳能结构上;其中,所述太阳能结构包括一第一太阳能电池与一第二太阳能电池,所述适当的距离使得所述透明电极可以局部露出而不被所述太阳能结构完全覆盖。
在本发明的实施例中,所述可透光电极的材质选自氧化锌、二氧化锡、氧化铟锡及氧化铟其中之一。
在本发明的实施例中,所述金属电极的材质选自铝(Al)、银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、钛(Ti)及其合金其中之一。
由于微晶硅在太阳光中可吸收长波长的太阳光,上述各实施例应用在显示设备中,可有效的增加太阳能的产生效益。
附图说明
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