[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置

说明书

本申请公开了薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，属于显示技术领域。薄膜晶体管包括：依次叠加的栅极图案、栅绝缘层、有源层图案、源极图案以及漏极图案，源极图案中朝向栅绝缘层的表面、漏极图案中朝向栅绝缘层的表面以及栅极图案中朝向栅绝缘层的表面中，存在至少一个表面为目标表面，目标表面能够对射入目标表面的光线进行漫反射，以阻止部分光线射入有源层图案。本申请解决了有源层图案的伏安特性曲线会发生偏移，影响薄膜晶体管的正常工作的问题，减弱了目标光线对薄膜晶体管正常工作的影响程度，本申请用于显示装置。

技术领域

本申请涉及显示技术领域，特别涉及薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

显示装置中的阵列基板包括：衬底基板以及设置在衬底基板一侧的多个阵列排布的像素单元，每个像素单元可以包括薄膜晶体管、像素电极、公共电极和液晶。

相关技术中，通常通过薄膜晶体管向像素电极输入不同的电压，从而改变液晶的偏转程度，调整像素单元的透光率，进而实现显示装置显示图像的功能。示例的，薄膜晶体管可以包括：依次叠加在衬底基板上的栅极图案、栅绝缘层、有源层图案和源漏极图案。源漏极图案与有源层图案相连接，像素电极与源漏极图案中的漏极相连接，栅极图案和源漏极图案的材质均可以为金属，有源层图案的材质可以为氧化物半导体。

相关技术中，源漏极图案与栅极图案的材质均为表面反光能力较强的金属，从衬底基板入射的光线能够在源漏极图案和栅极图案的反光作用下射入有源层图案。当射入有源层图案的光线的能量达到有源层图案的禁带宽度时，有源层图案的伏安特性曲线会发生偏移，影响薄膜晶体管的正常工作。

发明内容

为了解决有源层图案的伏安特性曲线会发生偏移，影响薄膜晶体管的正常工作的问题，本申请提供了薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：依次叠加的栅极图案、栅绝缘层、有源层图案、源极图案以及漏极图案，

所述源极图案中朝向所述栅绝缘层的表面、所述漏极图案中朝向所述栅绝缘层的表面以及所述栅极图案中朝向所述栅绝缘层的表面中，存在至少一个表面为目标表面，所述目标表面能够对射入所述目标表面的光线进行漫反射，以阻止部分光线射入所述有源层图案。

可选的，所述源极图案包括：设置在所述栅绝缘层远离所述栅极图案一侧的第一目标图案，以及设置在所述第一目标图案远离所述栅极图案一侧的第一电极主体图案；

所述漏极图案包括：设置在所述栅绝缘层远离所述栅极图案一侧的第二目标图案，以及设置在所述第二目标图案远离所述栅极图案一侧的第二电极主体图案；

所述第一目标图案中朝向所述栅绝缘层的表面，以及所述第二目标图案中朝向所述栅绝缘层的表面均为所述目标表面。

可选的，所述有源层图案的材质为氧化物半导体，所述第一目标图案的材质和所述第二目标图案的材质均为还原态的氧化物半导体，

所述第一目标图案和所述第二目标图案均围绕所述有源层图案设置，且与所述有源层图案不连接，所述第一电极主体图案和所述第二电极主体图案均与所述有源层图案相连接。

可选的，所述栅极图案包括：第三电极主体图案，以及设置在所述第三电极主体图案一侧的第三目标图案，所述栅绝缘层设置在所述第三目标图案远离所述第三电极主体图案的一侧，所述第三目标图案中远离所述第三电极主体图案的表面为所述目标表面。

第二方面，提供了另一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：栅极图案、栅绝缘层、有源层图案、源漏极图案以及光吸收图案，

其中，所述栅极图案、所述栅绝缘层、所述有源层图案以及所述源漏极图案依次叠加，所述光吸收图案设置在所述栅绝缘层的至少一侧，所述光吸收图案能够对射入所述光吸收图案的光线进行吸收；