[发明专利]显示基板及其制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201710329599.7 申请日: 2017-05-11
公开(公告)号: CN108878674A 公开(公告)日: 2018-11-23
发明(设计)人: 鲍里斯·克里斯塔尔 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 刘伟;张博
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 显示基板 阵列基板 阳极 折射薄膜 显示器件 显示装置 阴极 外量子效率 有机发光层 有机发光 交界处 透明的 制作 折射
【说明书】:

发明提供了一种显示基板及其制作方法、显示装置,属于显示技术领域。其中,显示基板,包括:阵列基板、设置在所述阵列基板上的显示器件,所述显示器件沿远离所述阵列基板的方向依次包括:透明的阳极,有机发光层和阴极,所述显示基板还包括:位于所述阵列基板和所述阳极之间的折射薄膜,所述折射薄膜能够使所述有机发光层出射的光线在所述阳极和所述折射薄膜的交界处发生折射。本发明的技术方案能够解决OLED显示装置的外量子效率低的问题。

技术领域

本发明涉及显示技术领域,特别是指一种显示基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Device,简称“OLED”)显示器件具备主动发光、温度特性好、功耗小、响应快、可弯曲、超轻薄和成本低等优点,已广泛应用于显示设备中。

OLED显示器件按照出光方向可以分为三种:底发射OLED、顶发射OLED与双面发射OLED。在底发射OLED中光从背板方向射出,在顶发射OLED中光从器件顶部方向射出,在双面发射OLED中光同时从基板和器件顶部射出。

研究表明,底发射OLED的光线输出效率低(即外量子效率低),通常最高仅为20%,影响光取出的因素大致可以分为四种:波导效应、基板效应、表面等离子体效应、吸收效应。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种显示基板及其制作方法、显示装置,能够解决OLED显示装置的外量子效率低的问题。

为解决上述技术问题,本发明的实施例提供技术方案如下:

一方面,提供一种显示基板,包括:阵列基板、设置在所述阵列基板上的显示器件,所述显示器件沿远离所述阵列基板的方向依次包括:透明的阳极,有机发光层和阴极,所述显示基板还包括:

位于所述阵列基板和所述阳极之间的折射薄膜,所述折射薄膜能够使所述有机发光层出射的光线在所述阳极和所述折射薄膜的交界处发生折射。

进一步地,所述显示器件为OELD器件,所述阴极为金属电极。

进一步地,所述折射薄膜至少包括第一折射层和第二折射层,所述第二折射层位于所述第一折射层和所述阳极之间,所述第一折射层的折射率小于所述第二折射层的折射率。

进一步地,所述第一折射层的折射率为1.6-1.7,所述第二折射层的折射率为1.7~1.9。

进一步地,所述折射薄膜采用折射率大于阈值的聚合物材料制成;或由掺杂有TiO2纳米颗粒的硅制成。

进一步地,所述显示基板还包括:

位于所述阵列基板背向所述阳极一侧的二氧化硅薄膜,所述二氧化硅薄膜远离所述阵列基板的部分的折射率小于所述二氧化硅薄膜靠近所述阵列基板的部分的折射率。

进一步地,所述二氧化硅薄膜至少包括第一二氧化硅层和第二二氧化硅层,所述第二二氧化硅层位于所述第一二氧化硅层和所述阵列基板之间,所述第一二氧化硅层的折射率小于所述第二二氧化硅层的折射率。

进一步地,所述第一二氧化硅层的折射率为1.1~1.2,所述第二二氧化硅层的折射率为1.3~1.4。

进一步地,从靠近所述阵列基板的一侧到远离所述阵列基板的一侧的方向上,所述二氧化硅薄膜的折射率逐渐减低。

本发明实施例还提供了一种显示装置,包括如上所述的显示基板。

本发明实施例还提供了一种显示基板的制作方法,所述显示基板包括:阵列基板、设置在所述阵列基板上的显示器件,所述显示器件沿远离所述阵列基板的方向依次包括:透明的阳极,有机发光层和阴极,所述制作方法包括:

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