[发明专利]一种OLED触控显示面板及其制作方法、触控显示装置在审
申请号: | 201710328928.6 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107123621A | 公开(公告)日: | 2017-09-01 |
发明(设计)人: | 杨盛际;董学;陈小川;玄明花;卢鹏程;韩卫锋;王慧娟;于静;刘英丽;于立民 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/84 | 分类号: | H01L21/84;H01L27/12;H01L27/32;H01L51/52;G06F3/041;G06F3/044 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 oled 显示 面板 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种OLED触控显示面板及其制作方法、触控显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix Organic Light Emitting Diode Display,,有源矩阵驱动有机发光二极管显示装置)具有低制造成本、高应答速度、省电、可用于便携式设备的直流驱动、工作温度范围大等等优点而可望成为取代LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)的下一代新型平面显示器。特别是柔性AMOLED,因其具有轻薄、可弯曲或折叠、能任意改变形状等优点,正越来越受到市场重视。
对于AMOLED中通常需要设置封装盖板,以达到阻隔水氧的作用。上述封装盖板采用玻璃盖板工艺或者薄膜封装(Thin Film Encapsulation,TFE)工艺制成。当采用薄膜封装工艺时,现有技术通常在薄膜封装结构上直接制作多层薄膜外嵌式(Muti Layer On Cell)的触控结构,例如三星公司型号为Galaxy S6的手机即采用上述方案。然而,上述多层薄膜外嵌式触控结构制作工艺复杂,成本较高。
发明内容
本发明的实施例提供一种OLED触控显示面板及其制作方法、触控显示装置,能够简化AMOLED触控显示装置的制作过程。
为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
本发明实施例的一方面,提供一种OLED触控显示面板的制作方法,包括制作TFT背板的方法;所述制作方法还包括:在所述TFT背板上,通过构图工艺形成多个挡墙,每个所述挡墙限定出一个触控区;在形成有所述挡墙的TFT背板上,形成阴极层;所述阴极层被所述挡墙分隔出多个相互绝缘的自电容电极,每个所述自电容电极位于一个所述触控区内,且与所述触控区的形状相匹配。
优选的,还包括在所述TFT背板上,且位于所述触控区内形成多个隔垫物。
进一步优选的,所述隔垫物与所述挡墙采用同一次构图工艺形成,且构成所述挡墙和所述隔垫物的材料为负性光刻胶。
进一步优选的,形成所述隔垫物的方法包括:在所述TFT背板上,且位于所述触控区内形成多个第一子隔垫物和多个第二子隔垫物;所述多个第一子隔垫物呈矩阵形式排列;所述第二子隔垫物位于相邻两行和相邻两列第一子隔垫物之间;其中,所述第一子隔垫物的延伸方向与所述第二子隔垫物的延伸方向垂直。
优选的,所述自电容电极在对应所述隔垫物的位置设置有通孔,所述隔垫物穿过所述通孔。
优选的,通过构图工艺形成多个所述挡墙包括:每个挡墙还限定出与一个与同一所述挡墙所限定的触控区相连接的引线区;所述引线区延伸至所述OLED触控显示面板的非显示区;在形成所述自电容电极的同时,所述方法还包括:所述阴极层被所述挡墙分隔出多条相互绝缘的触控引线,每条所述触控引线位于一个所述引线区内,且与所述引线区的形状相匹配;其中,由同一个所述挡墙分隔出的所述触控引线与所述自电容电极电连接。
优选的,在所述TFT背板上形成所述挡墙之前,所述方法还包括:在所述TFT背板上,通过构图工艺形成像素定义层,所述像素定义层包括横纵交叉的像素分隔物,以及由所述像素分隔物围设的开口;形成所述挡墙包括:在所述像素分隔物背离所述TFT背板的一侧形成所述挡墙。
优选的,当所述挡墙还限定出所述引线区时,在形成所述阴极层之前,所述方法还包括形成有机材料功能层的方法:在形成有所述像素分隔物的TFT背板上,通过构图工艺依次形成完全覆盖所述TFT背板显示区的空穴注入层和空穴传输层;在形成有所述空穴传输层的TFT背板上,通过构图工艺在对应所述开口的位置形成有机发光层;在形成有所述有机发光层的TFT背板上,通过构图工艺形成完全覆盖所述TFT背板显示区的电子传输层。
优选的,形成所述有机发光层之前,形成有机材料功能层的方法还包括:在形成有所述空穴传输层的TFT背板上,通过构图工艺在对应所述开口的位置,形成用于调节微腔高度的衬垫层;在形成有所述衬垫层的TFT背板上,通过构图工艺形成完全覆盖所述TFT背板显示区的缓冲层。
优选的,在形成所述阴极层之前,所述方法还包括形成有机材料功能层的方法:在形成有所述像素分隔物的TFT背板上,通过构图工艺在对应所述开口的位置,依次形成空穴注入层和空穴传输层;在形成有所述空穴传输层的TFT背板上,通过构图工艺在对应所述开口的位置,形成有机发光层;在形成有所述有机发光层的TFT背板上,通过构图工艺在对应所述开口的位置,形成电子传输层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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