[发明专利]半导体器件及光刻胶图案的清洗方法

说明书

一种光刻胶的清洗方法，包括：将形成于衬底表面的光刻胶图案浸入去离子水中；进行第一次旋转甩干，以去除光刻胶图案间隙中的部分去离子水；向光刻胶图案间隙中加入疏水溶剂，所述疏水溶剂的密度大于所述去离子水的密度；进行第二次旋转甩干。

技术领域

本发明涉及半导体领域，尤其是涉及一种半导体器件及光刻胶图案的清洗方法。

背景技术

在半导体技术领域中，例如晶圆的制造过程中，晶圆表面上设置有三极管、二极管、电容、电阻等各种电子元件，这些元件都是通过光刻工艺形成的，光刻确定了半导体器件的关键尺寸，对半导体器件的制造十分关键，光刻过程中的错误会造成图形歪曲，最终对器件的电性能产生影响。

光刻工艺中通常使用光刻胶，通过对光刻胶光刻形成光刻胶图案，以确定晶圆上保留的图形形状。光刻胶图案在清洗过程中，时常发生变形，降低了生产效率，因此光刻胶图案的清洗工艺亟须改进。

发明内容

本发明解决的技术问题是提供一种半导体器件及光刻胶图案的清洗方法，能够改善光刻胶在清洗过程中变形问题。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种光刻胶图案的清洗方法，包括：将形成于衬底表面的光刻胶图案浸入去离子水中；进行第一次旋转甩干，以去除光刻胶图案间隙中的部分去离子水；向光刻胶图案间隙中加入疏水溶剂，所述疏水溶剂的密度大于所述去离子水的密度；进行第二次旋转甩干。

可选地，所述第一次旋转甩干或所述第二次旋转甩干的转速小于2500rpm。

可选地，所述第一次旋转甩干或所述第二次旋转甩干的转速为200rpm-2000rpm。

可选地，所述第一次旋转甩干或所述第二次旋转甩干的转速为800rpm-1000rpm。

可选地，所述疏水溶剂是易挥发型溶剂。

可选地，所述疏水溶剂的沸点80℃-130℃。

可选地，所述疏水溶剂包含二氯乙烷。

可选地，在进行第二次旋转甩干后，进行烘烤，烘烤温度为60℃-80℃。

可选地，向光刻胶图案间隙中加入疏水溶剂采用浸润的方式进行。

可选地，将形成于衬底表面的光刻胶图案浸入去离子水中之前还包括：对涂覆于衬底表面的光刻胶进行光刻，形成光刻胶图案。

可选地，所述形成光刻胶图案包括，前烘烤、曝光、后烘烤、显影。

可选地，所述衬底为半导体衬底。

本发明实施例还提供一种半导体器件，在制造所述半导体器件的过程中采用上述的光刻胶图案的清洗方法进行清洗。

与现有技术相比，本发明实施例的技术方案具有以下有益效果：

通过加入疏水溶剂，减小去离子水的界面附着力，使得去离子水在低速甩干下即可甩出，防止高速甩干时光刻胶图案发生变形，从而提升光刻胶图案质量。

进一步，疏水溶剂选用易挥发溶剂，在低温烘烤下即可去除，低温烘烤可快速升温至指定温度，消耗时间短，消耗能量少。

附图说明

图1是光刻胶图案清洗过程中的扫描电子显微镜图；

图2是本发明一实施例光刻胶图案清洗方法示意图；

图3-图8是本发明一实施例提供的光刻胶图案清洗步骤示意图

具体实施方式