[发明专利]一种硅基全彩OLED微显示器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及OLED显示器件领域，尤其涉及一种硅基全彩OLED微显示器件以及制备方法。

背景技术

有机电致发光器件(OLED)同时具备全固态、自发光、响应速度块、视角广泛、工作温度范围广等一系列优点，受到越来越多的学界和产业界的关注。经过多年不断的积极探索，器件的结构和工艺的以及相关材料的进一步优化，有机电致发光已经取得了长足进步，目前已经实现了产业化。根据有关研究机构的预测，OLED面板2020年产值将超过600亿美元。微型OLED显示器指的是显示尺寸在1英寸之下，基于硅基CMOS驱动的有机发光器件，像素高达800×600以上，特别适合应用于头盔显示器、立体显示镜以及眼睛式显示器等，具有广阔的市场和军事价值。

目前成熟的标准CMOS电路一般都是工作在5V以下，要将OLED和 CMOS驱动电路相结合，必须降低OLED的工作电压。因此，改善OLED 的性能，使之适应常规的低压(<5V)CMOS驱动电路的工作要求，就要求 OLED在低驱动电压下就要产生足够高的亮度，在减小整机功耗的同时又要保证有高的发光效率。

目前硅基全彩OLED微显示器件采用传统的荧光材料或者磷光材料制作OLED的发光层。由于荧光材料只利用单重态发光，效率较低。磷光材料由于可以同时利用其单重态和三重态的发光，可实现100％的内量子效率。但是磷光器件一方面在高电流密度下效率衰减严重，另一方面磷光材料需要使用重金属铂和铱,材料价格昂贵，并不能很好的解决用于微显示的 OLED器件对于低成本、低电压、高效率的要求。开发基于新的微显示用 OLED器件结构十分迫切。基于反向系间窜越(RISC)的热活化延迟荧光 (TADF)材料可以克服荧光材料效率低下和磷光材料价格昂贵的缺点。当激发态的单三重态能量间距小到室温kT时，三重态可以通过RISC转向单重态激发态而发出延迟荧光。TADF材料的优点是成本低廉，并且其量子效率理论上限为100％。同时，由于电荷只需分别注入到给体材料的HOMO 能级和受体材料的LUMO能级，TADF器件的启亮电压很低，可以实现微显示对降低成本、提高效率的要求。

发明内容

本发明针对现有技术的不足，提供一种硅基全彩OLED微显示器件以及制备方法。

本发明通过以下技术手段实现解决上述技术问题的：

一种硅基全彩OLED微显示器件，包括：硅基板、OLED微显示器、密封层和玻璃盖板，所述OLED微显示器形成在所述硅基板上，所述OLED 微显示器包括发光层，所述发光层由蓝光发光层和橙光发光层构成；所述密封层覆盖在所述OLED微显示器上，所述玻璃盖板盖设在密封层上，所述玻璃盖板与密封层之间设有RGB彩色滤光片。

进一步地，所述密封层选自Al₂O₃、TiO₂、SiN、SiO₂中的任意一种或者组合，所述密封层厚度在10～2000nm。

进一步地，所述OLED微显示器件采用顶发射的方式，其包括阳极层，有机功能层和阴极层。

进一步地，所述阳极层采用蒸镀或者溅射的方式形成，采用的材料选自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu等中的一种或任意几种，所述阳极层的厚度在20～200nm，表面均方根粗糙度≤5nm。

进一步地，所述阴极层为半透明结构，采用的材料选自Al、Ag、Mg/Ag、 Ca/Mg中的任意一种，所述阴极层的厚度在5～20nm。

进一步地，有机功能层包括空穴注入层，空穴传输层，发光层、电子传输层和电子注入层，采用热蒸发的方式在阳极层上依次沉积制备，所述空穴注入层的材料选自MoO₃、WoO₃、V2O₅、HATCN、1-TNATA、2-TNATA、 m-MTDATA、TCNQ、F₄TCNQ中的任意一种，厚度在2～30nm；所述空穴传输层选自NPB、TPD、p-TPD、TCTA中的任意一种，厚度在5～30nm；电子传输层选自TPBI、Alq3、Balq、Bphen、BCP、PBD中的任意一种，厚度在10～50nm；所述电子注入层材料选自LiF、Liq、Li₂O、Li:Alq₃中的任意一种，厚度在0.25～5nm。