[发明专利]一种硅基全彩OLED微显示器件及其制备方法

权利要求书

1.一种硅基全彩OLED微显示器件，其特征在于，包括：硅基板、OLED微显示器、密封层和玻璃盖板，所述OLED微显示器形成在所述硅基板上，所述OLED微显示器包括发光层，所述发光层由蓝光发光层和橙光发光层构成；所述密封层覆盖在所述OLED微显示器上，所述玻璃盖板盖设在密封层上，所述玻璃盖板与密封层之间设有RGB彩色滤光片。

2.根据权利要求1所述的硅基全彩OLED微显示器件，其特征在于，所述密封层选自Al₂O₃、TiO₂、SiN、SiO₂中的任意一种或者组合，所述密封层厚度在10~2000nm。

3.根据权利要求1所述的硅基全彩OLED微显示器件，其特征在于，所述OLED微显示器件采用顶发射的方式，其包括阳极层，有机功能层和阴极层。

4.根据权利要求3所述的硅基全彩OLED微显示器件，其特征在于，所述阳极层采用蒸镀或者溅射的方式形成，采用的材料选自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu等中的一种或任意几种，所述阳极层的厚度在20~200nm，表面均方根粗糙度≤5nm。

5.根据权利要求3所述的硅基全彩OLED微显示器件，其特征在于，所述阴极层为半透明结构，采用的材料选自Al、Ag、Mg/Ag、Ca/Mg中的任意一种，所述阴极层的厚度在5~20nm。

6.根据权利要求3所述的硅基全彩OLED微显示器件，其特征在于，有机功能层包括空穴注入层，空穴传输层，发光层、电子传输层和电子注入层，采用热蒸发的方式在阳极层上依次沉积制备，所述空穴注入层的材料选自MoO₃、WoO₃、V2O₅、HATCN、1-TNATA、2-TNATA、m-MTDATA、TCNQ、F₄TCNQ中的任意一种，厚度在2~30nm；所述空穴传输层选自NPB、TPD、p-TPD、TCTA中的任意一种，厚度在5~30nm；电子传输层选自TPBI、Alq3、Balq、Bphen、BCP、PBD中的任意一种，厚度在10~50nm；所述电子注入层材料选自LiF、Liq、Li₂O、Li:Alq₃中的任意一种，厚度在0.25~5nm。

7.根据权利要求1所述的硅基全彩OLED微显示器件，其特征在于，所述发光层的蓝色发光层和橙色发光层均由一种主体材料和一种客体材料制成，所述主体材料的HOMO与LUMO能级差大于3.5eV，所述客体材料选自具备小的单重态-三重态能级间隔的TADF发光材料。

8.一种制备如权利要求1~7所述的微显示器件的方法，其特征在于，包括以下步骤：

a、在硅基板上蒸镀或者溅射阳极层，阳极层材料选自Al、Au、Ag、Cr、Mo、Pt、Cu等中的一种或任意几种，阳极层的厚度为20~200nm；使用CMP技术对阳极层进行处理，提高阳极层的平整度，使之表面均方根粗糙度≤5nm；

b、在阳极层上依次蒸镀空穴注入层和空穴传输层，所述空穴注入层的材料选自MoO₃、WoO₃、V2O₅、HATCN、1-TNATA、2-TNATA、m-MTDATA、TCNQ、F₄TCNQ中的任意一种，厚度在2~30nm；所述空穴传输层选自NPB、TPD、p-TPD、TCTA中的任意一种，厚度在5~30nm；

c、所述在空穴传输层上制备两层发光层，一层为蓝光发光层，另一层为橙光发光层，所述发光层由一种主体材料和一种客体掺杂材料构成，其中，主体材料的HOMO与LUMO能级差大于3.eV，客体材料为具备小的单重态-三重态能级间隔的发光材料；主体材料选自CBP、3TPAPFP、mCP、DPEPO中任意一种，蓝光掺杂材料选自4CzIPN、DMAC-DPS，橙光掺杂材料选自PPZ–DPS、PPZ–DPO中任意一种，上述掺杂材料的掺杂比例在0.5%~10%，厚度在10~30nm；

d、在所述发光层上依次蒸镀电子传输层、电子注入层和阴极层，其中电子传输层材料选自TPBI、Alq₃、Balq、Bphen、BCP、PBD中的任意一种，厚度在10~50nm；所述电子注入层材料选自LiF、Liq、Li₂O、Li:Alq₃中的任意一种，厚度在0.25~5nm；所述阴极层为半透明结构，所述阴极层材料选自Al、Ag、Mg:Ag、Ca/Mg中的任意一种，厚度在5~20nm；

e、采用原子层沉积、旋转涂覆或者热蒸发等方法制备密封层，所述密封层材料选自Al₂O₃、TiO₂、SiN、SiO₂中的任意一种或者组合，厚度为10~2000nm；

f、贴玻璃盖片，玻璃盖板上预制RGB彩色滤光片，使用CCD监测像素对准，精度要求为1μm。