[发明专利]一种量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针的制备方法及其应用有效
申请号: | 201710326198.6 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107216881B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 尹乃强;丁艳丽;杨同辉;吴萍;王蒙;谷旭 | 申请(专利权)人: | 商丘师范学院 |
主分类号: | C09K11/88 | 分类号: | C09K11/88;C09K11/62;C09K11/02;G01N21/64;A61K41/00;A61K49/00;A61P35/00 |
代理公司: | 北京智为时代知识产权代理事务所(普通合伙) 11498 | 代理人: | 吉海莲 |
地址: | 476000 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 量子 掺杂 二氧化硅 硫化铜 荧光 光热 探针 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针的制备方法,所述方法包括以下步骤:
(1)量子点掺杂的二氧化硅的制备:
a.首先配备氨水溶液:按比例混合乙二醇或乙醇与氨水得氨水溶液,所述乙二醇或乙醇与氨水的体积比是1:0.1-100;
b.将荧光量子点与二氧化硅源滴加入配备好的氨水溶液中,所述荧光量子点与二氧化硅源的摩尔比为1:1-1000,氨水与二氧化硅源的体积比为1:0.1-1000;
d.对步骤b混合溶液进行持续室温搅拌1-4天后离心洗涤,然后用3-氨丙基三甲氧基硅氧烷或氨丙基三乙氧基硅烷进行氨基化室温搅拌修饰24小时,最后进行离心洗涤,得氨基化的量子点掺杂的二氧化硅溶液,所述3-氨丙基三甲氧基硅氧烷或氨丙基三乙氧基硅烷与二氧化硅源的体积比为1:0.01到1:100;
(2)量子点掺杂的二氧化硅/硫化铜结构的制备:
向步骤(1)得到的氨基化的量子点掺杂的二氧化硅溶液中加入带修饰基团的硫化铜颗粒,混合溶液室温搅拌1-5天,然后对混合溶液进行离心洗涤,所述量子点掺杂二氧化硅颗粒与修饰基团的硫化铜颗粒的摩尔比为1:1-100;
(3)量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针的制备:
量子点掺杂的二氧化硅/硫化铜复合结构表面的修饰基团可以与生物分子进行交联反应,得量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针;所述生物分子包括抗体、DNA片段和生物配体中的任意一种。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(1)中b与d之间,还包括加入所述扩孔剂的步骤c,所述扩孔剂与二氧化硅源的体积比为1:10-1000。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:
(1)量子点掺杂的二氧化硅的制备:
a.首先配备氨水溶液:按比例混合乙二醇或乙醇与氨水得氨水溶液,所述乙二醇或乙醇与氨水的体积比是1:0.2;
b.将荧光量子点与二氧化硅源滴加入配备好的氨水溶液中,所述荧光量子点与二氧化硅源的摩尔比为1:5-50,氨水与二氧化硅源的体积比为1:0.1-1;
c.向步骤b混合溶液加入扩孔剂,所述扩孔剂与二氧化硅源的体积比1:1-20;
d.对步骤c混合溶液进行持续室温搅拌1-4天后离心洗涤,然后用3-氨丙基三甲氧基硅氧烷或氨丙基三乙氧基硅烷进行氨基化室温搅拌修饰24小时,最后进行离心洗涤,得氨基化的量子点掺杂的二氧化硅溶液,所述3-氨丙基三甲氧基硅氧烷或氨丙基三乙氧基硅烷与二氧化硅源的体积比为1:10-100;
(2)量子点掺杂的二氧化硅/硫化铜结构的制备:
向步骤(1)得到的氨基化的量子点掺杂的二氧化硅溶液中加入带修饰基团的硫化铜颗粒,混合溶液室温搅拌1-5天,然后对混合溶液进行离心洗涤,所述量子点掺杂二氧化硅颗粒与修饰基团的硫化铜颗粒的摩尔比为1:20-100;
(3)量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针的制备:
量子点掺杂的二氧化硅/硫化铜复合结构表面的修饰基团可以与生物分子进行交联反应,得量子点掺杂二氧化硅@硫化铜荧光光热探针;所述生物分子包括抗体、DNA片段和生物配体中的任意一种。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述荧光量子点包括CdTeS、CdSe、碳点、锰掺杂量子点、AgInS、AgZnInS中的任何一种或几种。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述二氧化硅源包括正硅酸四乙酯、2-(3,4-环氧环己烷)乙基三甲氧基硅烷、(3-巯丙基)三甲氧基硅烷、(3-巯丙基)三乙氧基硅烷、巯丙基甲基二甲氧基硅烷中的任何一种或几种。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,步骤(2)中所述修饰的硫化铜颗粒包括柠檬酸修饰的硫化铜、抗坏血酸修饰的硫化铜、半胱氨酸修饰的硫化铜、硫代乙醇酸修饰的硫化铜、硬脂酸修饰的硫化铜中的任意一种。
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