[发明专利]一种高温型电阻元件及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201710320623.0 申请日: 2017-05-09
公开(公告)号: CN107141665A 公开(公告)日: 2017-09-08
发明(设计)人: 刘刚;王梅凤;汤成平;高进;唐敏;薛云峰 申请(专利权)人: 句容市博远电子有限公司
主分类号: C08L27/16 分类号: C08L27/16;C08K13/02;C08K3/04;C08K3/22;C08K3/26;C08K5/13;C08K5/54;H01C7/02;H01C17/00
代理公司: 江苏圣典律师事务所32237 代理人: 吴庭祥
地址: 212400 *** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 高温 电阻 元件 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及耐高温电阻技术领域,尤其涉及一种高温型电阻元件及其制备方法。

背景技术

以高分子导电复合材料为基材的正温度系数热敏电阻,在临界转变温度的前后,使电阻率发生几个数量级的变化,即PTC 的电阻可随其使用的环境温度的升高而增加,从而可以在较高温度下减小或切断电流,起到过流、过温保护,目前,这类器件已经在各种电路保护装置中大量使用,如锂离子电池、汽车马达等。一般的,填充导电粒子的结晶高分子复合材料可表现出正温系数PTC 现象,也就是说在较低的温度时,这类导体呈现较低的电阻率,而当温度升高到达高分子聚合物熔点以上,电阻率会急速升高。目前常规的聚合物材料包括聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、EVA、EAA、EBA,导电填料包括炭黑、石墨、碳纤维、镍粉、铜粉、铝粉等。

目前一般生产企业制造热敏电阻粉体使用的工艺为:称料、加入施主杂质球磨混料、烘干、压块1150℃预合成、粉碎、称料、加入受主杂质和烧结助剂球磨混料、加入余料量为8% 的浓度为10% 的PVA、喷雾造粒。按此工艺生产的电阻组份分散不均匀、晶粒大小不匀、α 系数低、耐电压性能差,使用时容易出现热击穿等致命缺陷。

发明内容

本发明的实施例提供一种高温型电阻元件及其制备方法,原料简单,制备的得到的所述高温型电阻元件元件,组分分散均匀,较高的耐电压能力,可在汽车电机等高温环境下工作,具有较好的耐压等级,提升了器件在高温高压下的可靠性。

为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:

本发明的实施例提供一种高温型电阻元件,包括以下的重量份数的原料制备而成:高分子聚合物40-65份,导电填料25-50份,无机填料1-10份,偶联剂1-5份,抗氧剂0.1-2份,分散助剂0.01-0.1份。

进一步的,所述的一种高温型电阻元件是以下重量份数的原料制备而成:高分子聚合物50-60份,导电填料30-40份,无机填料5-8份,偶联剂1-3份,抗氧剂0.5-1份,分散助剂0.03-0.08份。

进一步的,所述高分子聚合物是聚偏氟乙烯,高密度聚乙烯,乙烯-四氟乙烯共聚物,乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种混合物。

进一步的,所述导电填料是炭黑、石墨、碳纤维、金属粉末、金属纤维、无氧导电陶瓷粉中的一种或多种的混合物。

进一步的,所述无机填料是氢氧化银或氢氧化镁。

进一步的,所述偶联剂是钛酸偶联剂或硅烷偶联剂。

进一步的,所述抗氧剂是对苯二酚、硫代双酚、萘胺、二苯胺、对苯二胺中的一种或多种混合物。

进一步的,所述分散助剂是二氧化锰,三氧化二锑,碳酸锂的混合物。

进一步的,所述分散助剂是由以下重量份数的原料组成:二氧化锰40-60份,三氧化二锑40-60份,碳酸锂10-30份。

本发明还提供了一种高温型电阻元件的制备方法,包括:

S1、将所有粉料混合均匀,在乙醇中研磨成纳米粉末;

S2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼,混炼温度200℃-250℃,混炼30-60分钟,压成薄片;

S3、将步骤2得到的薄片按不同规格冲程各种尺寸的芯片,得到所述高温型电阻元件。

本发明实施例提供的一种高温型电阻及其制备方法,具有以下优点:

(1)制备工艺简单可行,生产成本低廉;(2)组分分散均匀,晶粒大小匀称、α 系数高;(3)耐压耐高温,衰减性能较好。

具体实施方式

为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合具体实施方式对本发明作进一步详细描述。

实施例1

一种高温型电阻元件,由下列重量份数的原料制备而成:聚偏氟乙烯40-50份,炭黑25-30份,氢氧化银1-5份,硅烷偶联剂1-2份,对苯二酚0.1-0.5份,二氧化锰0.01-0.04份,三氧化二锑0.01-0.04份,碳酸锂0.01-0.02份。

一种高温型电阻元件制备方法,包括:

S1、将所有粉料混合均匀,在乙醇中研磨成纳米粉末;

S2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼,混炼温度200℃,混炼60分钟,压成薄片;

S3、将步骤2得到的薄片按不同规格冲程各种尺寸的芯片,得到所述高温型电阻元件。

实施例2

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