[发明专利]一种高温型电阻元件及其制备方法

权利要求书

1.一种高温型电阻元件，其特征在于，包括以下的重量份数的原料制备而成：高分子聚合物40-65份，导电填料25-50份，无机填料1-10份，偶联剂1-5份，抗氧剂0.1-2份，分散助剂0.01-0.1份。

2.根据权利要求1所述的一种高温型电阻元件，其特征在于，包括以下重量份数的原料制备而成：高分子聚合物50-60份，导电填料30-40份，无机填料5-8份，偶联剂1-3份，抗氧剂0.5-1份，分散助剂0.03-0.08份。

3.根据权利要求1所述的一种高温型电阻元件，其特征在于，所述高分子聚合物是聚偏氟乙烯，高密度聚乙烯，乙烯-四氟乙烯共聚物，乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种混合物。

4.根据权利要求1所述的一种高温型电阻元件，其特征在于，所述导电填料是炭黑、石墨、碳纤维、金属粉末、金属纤维、无氧导电陶瓷粉中的一种或多种的混合物。

5.根据权利要求1所述的一种高温型电阻元件，其特征在于，所述无机填料是氢氧化银或氢氧化镁。

6.根据权利要求1所述的一种高温型电阻元件，其特征在于，所述偶联剂是钛酸偶联剂或硅烷偶联剂。

7.根据权利要求1所述的一种高温型电阻元件，其特征在于，所述抗氧剂是对苯二酚、硫代双酚、萘胺、二苯胺、对苯二胺中的一种或多种混合物。

8.根据权利要求1所述的一种高温型电阻元件，其特征在于，所述分散助剂是二氧化锰，三氧化二锑，碳酸锂的混合物。

9.根据权利要求1所述的一种高温型电阻元件，其特征在于，所述分散助剂是由以下重量份数的原料组成：二氧化锰40-60份，三氧化二锑40-60份，碳酸锂10-30份。

10.一种高温型电阻元件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、将所有粉料混合均匀，在乙醇中研磨成纳米粉末；

S2、将步骤1得到的纳米粉末加入密炼机进行混炼， 混炼温度200-250℃，混炼30-60分钟，压成薄片；

S3、将步骤2得到的薄片按不同规格冲程各种尺寸的芯片，得到所述高温型电阻元件。