[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201710317846.1 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN107665903B | 公开(公告)日: | 2022-01-25 |
发明(设计)人: | 杨熙正;申宇燮;韩奎元 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
公开了一种有机发光显示装置,该有机发光显示装置保护第一电极并且防止由于来自堤部的顶部或外围侧面的光泄漏导致的任何影响,由此防止寿命降低。该有机发光显示装置包括:具有多个子像素的基板;分别设置在所述多个子像素中的多个第一电极;设置在每个所述第一电极的边缘上并与所述第一电极接触的第一电极保护图案;配置成与所述第一电极保护图案的一部分交叠并限定发光区域的堤部;位于所述第一电极上并对应于所述发光区域的有机发光层;以及位于所述有机发光层上的第二电极。
本申请要求于2016年7月29日提交的韩国专利申请No.10-2016-0097546的权益,在此援引该专利申请作为参考,如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种有机发光显示装置,尤其涉及一种防止当堤部形成之后提供的有机层堆积在堤部周围时导致的电流泄漏和寿命降低的有机发光显示装置。
背景技术
随着信息化时代的到来,在视觉上显示被电学传送的信息信号的显示领域快速发展。相应地,具有诸如轻薄设计和低功耗之类的出色性能的各种平板显示装置得到发展并正快速取代传统的阴极射线管(CRT)。
这种平板显示装置的代表示例可包括液晶显示(LCD)装置、等离子体显示面板(PDP)装置、场发射显示(FED)装置和有机发光显示(OLED)装置。
其中,有机发光显示装置被认为是具有竞争力的产品,因为其不需要单独的光源并实现装置紧凑性和丰富的色彩显示。
这种有机发光显示装置包括设置于子像素中的诸如有机发光二极管之类的自发光元件,并且以每一子像素为基础经由有机发光二极管的操作进行显示。此外,除显示装置以外,有机发光二极管还可用作照明设备中的自发光元件,因而有机发光二极管的开发成为照明产业中的亮点。此外,因为有机发光二极管不需要单独的光源单元,所以它们还有利地应用在柔性显示装置或透明显示装置中。
同时,这种有机发光二极管包括位于两个电极之间的有机发光层。此外,电子和空穴分别从两个电极注入到有机发光层中,并且经由电子和空穴的组合在有机发光层中生成激子。然后,当生成的激子从激发态下降至基态时,从有机发光二极管产生光。
图1是图解根据相关技术一实施方式的有机发光显示装置的剖面图。
如图1中所示,根据相关技术一实施方式的有机发光显示装置包括位于基板10上的每个子像素中的第一电极20、位于子像素的边界处以暴露出发光区域的堤部30、设置在发光区域中的有机发光层40、以及设置在有机发光层40上的第二电极50。
然而,在上述构造中,当堤部30具有较低高度时,在经由溶液工艺(solutionprocess)形成有机发光层40时有机发光层40会覆盖堤部30而不会在不同区域之间区分开。在这种情形中,可能发生侧向的光泄漏。
此外,经由曝光工艺形成的堤部30的高度一般是不够的。
因此,提出了以双重形式(dual form)形成堤部30的示例。
图2是图解根据相关技术另一实施方式的有机发光显示装置的剖面图。
如图2中所示,根据相关技术另一实施方式的有机发光显示装置包括具有双重结构的堤部,其包括配置成界定出发光区域的第一堤部32以及设置在第一堤部32上以具有预定高度的第二堤部35。
尽管这种堤部具有双重结构,但不管显示装置是顶部发光型还是底部发光型,设置堤部的区域都不会表现为实质上可用的发光区域。此外,由于堤部的台阶部,包括有机发光层40在内的有机层可能过度地堆积在设置有堤部的区域中,这导致相应区域中的电流泄漏。因此,不会实现有机发光显示装置的充分寿命。
特别是,当为了减少掩模工艺的数量而经由溶液工艺形成有机发光层40时,有机层的堆积可进一步恶化,因而导致寿命降低。因此,溶液工艺的应用是不可能的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的