[发明专利]进一步提高LED出光效率的方法及其LED结构

权利要求书

1.进一步提高LED出光效率的方法，其具体包括如下步骤：

S1、采用MOCVD法生长若干个外延片，所述外延片依次包括：衬底、以及位于所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层；

S2、外延片生长结束后，进行第一次退火工艺；

S3、对退火后的外延片进行光电性能测试及外观检测；

S4、挑选出光电性能优异及外观良好的外延片再次采用MOCVD法进行二次外延生长粗化层，得到表面粗化的外延片；

S5、对二次生长后的外延片进行二次退火工艺。

2.根据权利要求1所述的进一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述步骤S4中用于二次外延生长的外延片为波长分布均匀、快测亮度较高、表面平整、无脏污的外延片。

3.根据权利要求1所述的进一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述步骤S2中的第一次退火工艺与所述步骤S5中的二次退火工艺相同或不同。

4.根据权利要求1所述的进一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化层采用低温高NH₃/H₂比和高生长速率制备而成。

5.根据权利要求3所述的进一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化层的生长条件为：N₂和H₂作为载气、NH₃为氮源、TMGa为镓源，反应室应力为200~500torr，转速为600rpm~1200rpm，生长温度为700℃~900℃，NH₃/H₂为30:1~60:1。

6.根据权利要求1所述的进一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化层的厚度为3000Å-5000Å。

7.根据权利要求1所述的进一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化层为不规则粗化结构或者规则粗化结构。

8.根据权利要求1所述的进一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：所述粗化层为V-pits结构。

9.根据权利要求1所述的进一步提高LED出光效率的方法，其特征在于：该方法还包括对再次退火后的外延片进行芯片端，形成复数个芯粒的步骤。

10.一种LED结构，其采用权利要求1~9所述的任意一种提高LED出光效率的方法制备而成，其包括首次生长的外延结构层及采用相同的方法二次外延生长的粗化层，其中，所述外延结构层为光电性能优异及外观良好的外延片，其依次包括衬底及依次位于所述衬底上的第一半导体层、发光层和第二半导体层。